IBN
Închide
ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXZ
ЗСЭ

Despre revistă
Cautare
Domenii de acreditare
Domenii ştiinţifice
Acces la textul integral
Anul fondării  1998
Tirajul revistei   
Vizibilitate internațională
Caracteristica articolelor
Limba de publicare
Ultima descărcare din IBN:
2023-02-08 00:10
Vizibilitatea autorilor

Numărul curent

  Vol. 172 / / 2024  (1 din 1)1    
 2024  (1 din 1)1    
Vol. 172 1
 2021  (1 din 12)1    
Vol. 121 1CZU
 2019  (1 din 12)1    
Vol. 100 1
 2018  (1 din 12)1    
Vol. 87 1
 2016  (2 din 12)2    
Vol. 49 1
Vol. 43 1
 2014  (1 din 12)1    
Vol. 26, i1 1
imagine

pISSN: 1369-8001
eISSN: 1873-4081
Materials Science in Semiconductor Processing
Factor de impact CiteScore 2022 - 7
Factor de impact SJR 2022 - 0.688
Factor de impact SNIP 2022 - 1.014

În ajutorul Colegiului de redacție în procedura de evaluare a revistei.
Notă: Descărcați formularele și completați cu datele lipsă.
Disponibil în IBN pentru perioada:
2014 - 2024
Clasificate
ÎnregistrateAccesateDescărcateCZUDOI
Articole743931017
Volume7314068
Total14753378

Vizualizări   683Descărcări   23

Conţinutul numărului de revistă

Crystallinity and optical properties of β-Ga2O3/Ga2S3 layered structure obtained by thermal annealing of Ga2S3 semiconductor 1-9

DOI: 10.1016/j.mssp.2020.105314

CZU: 538.9+621.38+546

Sprincean Veaceslav , Lupan Oleg , Caraman Iuliana , Untila Dumitru , Postica Vasile , Cojocaru Ala , Gapeeva Anna , Palachi Leonid , Adelung Rainer , Tiginyanu Ion , Caraman Mihail