Growth and characterization of Eu doped GaSe single crystals by X-ray diffraction and raman spectroscopy
Închide
Conţinutul numărului revistei
Articolul precedent
Articolul urmator
137 5
Ultima descărcare din IBN:
2019-03-15 13:11
Căutarea după subiecte
similare conform CZU
621.315.592:548.55 (1)
Electrotehnică (451)
Cristalografie (12)
SM ISO690:2012
UNTILA, Dumitru; EVTODIEV, Igor; CARAMAN, Iuliana; KANTSER, Valeriu; SPALATU, Nicolae; DMITROGLO, Liliana; EVTODIEV, Silvia; SPOIALĂ, Dorin; ROTARU, Irina; GASHIN, P.. Growth and characterization of Eu doped GaSe single crystals by X-ray diffraction and raman spectroscopy. In: Studia Universitatis (Seria Ştiinţe Exacte şi Economice). 2017, nr. 2(102), pp. 62-68. ISSN 1857-2073.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF
BibTeX
DataCite
Dublin Core
Studia Universitatis (Seria Ştiinţe Exacte şi Economice)
Numărul 2(102) / 2017 / ISSN 1857-2073 /ISSNe 2345-1033

Growth and characterization of Eu doped GaSe single crystals by X-ray diffraction and raman spectroscopy

CZU: 621.315.592:548.55
Pag. 62-68

Untila Dumitru12, Evtodiev Igor21, Caraman Iuliana3, Kantser Valeriu12, Spalatu Nicolae4, Dmitroglo Liliana2, Evtodiev Silvia2, Spoială Dorin2, Rotaru Irina2, Gashin P.2
 
1 Ghitu Institute of Electronic Engineering and Nanotechnology, Academy of Sciences of Moldova,
2 State University of Moldova,
3 Universitatea „Vasile Alecsandri”, Bacău,
4 Tallinn University of Technology
 
Disponibil în IBN: 24 august 2017


Rezumat

GaSe single crystals doped with Eu (0.025, 0.05, 0.5, 1.0 and 3.0 at%) were grown by Bridgman method using Ga, Se and Eu elementary components. The crystalline structure and vibration modes of the GaSe: Eu crystals lattice were studied by X-ray diffraction and Raman spectroscopy. Eu atoms arranged in the van der Waals space of GaSe: Eu crystals form Eu-Se valence bonds and restructure hexagonal lattice of GaSe leading to EuGa2Se4 crystallites formation. Defects generated by EuGa2Se4 crystallites lead to broadening and shifting of single phonon peaks present in Raman spectra towards shorter wavenumbers, and at the same time, activate the longitudinal optical vibrations of EuSe sublattice.

Monocristalele de GaSe nedopate și dopate cu Eu în cantități de 0.025, 0.05, 0.5, 1.0 și 3.0% at. au fost crescute prin metoda Bridgman din componente elementare Ga, Se și Eu. Structura cristalină și modelele de vibrație a rețelei crista-lelor de GaSe:Eu au fost studiate prin difracția razelor X și spectroscopia Raman. Atomii de Eu localizați în spaţiul van der Waals al cristalelor de GaSe:Eu creează legături de valență Eu-Se și restructurează rețeaua hexagonală a compusului GaSe, conducând la formarea cristalitelor de EuGa2Se4. Defectele generate de cristalitele de EuGa2Se4 duc la lărgirea și deplasarea benzilor monofononice de difuzie Raman spre numere de undă mici și, totodată, activează vibraţiile optice longitudinale ale subreţelei EuSe.

Cuvinte-cheie
GaSe, doping, XRD, Raman.,

EU