| Conţinutul numărului revistei |
| Articolul precedent |
| Articolul urmator |
 |
 670 0 |
 SM ISO690:2012ABDURAKHMANOV, B., ИЛИЕВ, Х., ТАЧИЛИН, С., TOSHEV, A., ЭГАМБЕРДИЕВ, Б.. Влияние микрогетеропереходов кремний–германий на параметры кремниевых солнечных элементов. In: Электронная обработка материалов, 2010, nr. 5(46), pp. 124-126. ISSN 0013-5739. |
| EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
 Электронная обработка материалов |
||||||
| Numărul 5(46) / 2010 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718 | ||||||
|
||||||
| Pag. 124-126 | ||||||
|
||||||
 Descarcă PDF |
||||||
| Rezumat | ||||||
It is established, that annealing at 850 °C the monocrystal silicon doped with germanium, reduce to the formation internal microheterojunctions Si/SiGe/Si, which enhancement of efficiency to 2,5 % of solar cells made on its basis. |
||||||
|
Google Scholar Export
<meta name="citation_title" content="Влияние микрогетеропереходов кремний–германий на параметры кремниевых солнечных элементов"> <meta name="citation_author" content="Abdurakhmanov B."> <meta name="citation_author" content="Илиев Х."> <meta name="citation_author" content="Тачилин С."> <meta name="citation_author" content="Toshev A."> <meta name="citation_author" content="Эгамбердиев Б."> <meta name="citation_publication_date" content="2010/10/14"> <meta name="citation_journal_title" content="Электронная обработка материалов"> <meta name="citation_volume" content="46"> <meta name="citation_issue" content="5"> <meta name="citation_firstpage" content="124"> <meta name="citation_lastpage" content="126"> <meta name="citation_pdf_url" content="https://ibn.idsi.md/sites/default/files/imag_file/124_126_Vliyanie-mikrogeteroperehodov-kremniy%E2%80%93germaniy-na-parametryi-kremnievyih-solnechnyih-elementov.pdf">
|
|
|
