Влияние микрогетеропереходов кремний–германий на параметры кремниевых солнечных элементов

Abdurakhmanov B.; Илиев Х.; Тачилин С.; Toshev A.; Эгамбердиев Б.

Conţinutul numărului revistei

Articolul precedent

Articolul urmator

671

SM ISO690:2012

ABDURAKHMANOV, B., ИЛИЕВ, Х., ТАЧИЛИН, С., TOSHEV, A., ЭГАМБЕРДИЕВ, Б.. Влияние микрогетеропереходов кремний–германий на параметры кремниевых солнечных элементов. In: Электронная обработка материалов, 2010, nr. 5(46), pp. 124-126. ISSN 0013-5739.

EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core

Электронная обработка материалов

Numărul 5(46) / 2010 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718

Влияние микрогетеропереходов кремний–германий на параметры кремниевых солнечных элементов

Pag. 124-126

Abdurakhmanov B., Илиев Х., Тачилин С., Toshev A., Эгамбердиев Б.

Ташкентский государственный технический университет имени А.Р.Беруни

Disponibil în IBN: 30 martie 2017

Descarcă PDF

Rezumat

It is established, that annealing at 850 °C the monocrystal silicon doped with germanium, reduce to the formation internal microheterojunctions Si/SiGe/Si, which enhancement of efficiency to 2,5 % of solar cells made on its basis.

DataCite XML Export

<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?>
<resource xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xmlns='http://datacite.org/schema/kernel-3' xsi:schemaLocation='http://datacite.org/schema/kernel-3 http://schema.datacite.org/meta/kernel-3/metadata.xsd'>
<creators>
<creator>
<creatorName>Abdurakhmanov, B.A.</creatorName>
<affiliation>Ташкентский государственный технический университет имени А.Р.Беруни, Uzbekistan</affiliation>
</creator>
<creator>
<creatorName>Iliev, K.M.</creatorName>
<affiliation>Ташкентский государственный технический университет имени А.Р.Беруни, Uzbekistan</affiliation>
</creator>
<creator>
<creatorName>Tachilin, S.A.</creatorName>
<affiliation>Ташкентский государственный технический университет имени А.Р.Беруни, Uzbekistan</affiliation>
</creator>
<creator>
<creatorName>Toshev, A.R.</creatorName>
<affiliation>Ташкентский государственный технический университет имени А.Р.Беруни, Uzbekistan</affiliation>
</creator>
<creator>
<creatorName>Egamberdiev, B.E.</creatorName>
<affiliation>Ташкентский государственный технический университет имени А.Р.Беруни, Uzbekistan</affiliation>
</creator>
</creators>
<titles>
<title xml:lang='ru'>Влияние микрогетеропереходов кремний–германий на параметры кремниевых солнечных элементов</title>
</titles>
<publisher>Instrumentul Bibliometric National</publisher>
<publicationYear>2010</publicationYear>
<relatedIdentifier relatedIdentifierType='ISSN' relationType='IsPartOf'>0013-5739</relatedIdentifier>
<dates>
<date dateType='Issued'>2010-10-14</date>
</dates>
<resourceType resourceTypeGeneral='Text'>Journal article</resourceType>
<descriptions>
<description xml:lang='en' descriptionType='Abstract'>It is established, that annealing at 850 °C the monocrystal silicon doped with germanium, reduce to the formation internal microheterojunctions Si/SiGe/Si, which enhancement of efficiency to 2,5 % of solar cells made on its basis.</description>
</descriptions>
<formats>
<format>application/pdf</format>
</formats>
</resource>