Conţinutul numărului revistei |
Articolul precedent |
Articolul urmator |
870 4 |
Ultima descărcare din IBN: 2019-12-31 15:34 |
Căutarea după subiecte similare conform CZU |
535.2:621.311.243 (2) |
Propagarea şi energetica radiaţiei. Fotometrie (13) |
Electrotehnică (1154) |
SM ISO690:2012 BOTNARIUC, Vasile, GAŞIN, Petru, GORCEAC, Leonid, INCULEŢ, Ion, CINIC, Boris, COVAL, Andrei, RAEVSCHI, Simion. Celule fotovoltaice cu heterojoncţiunea nCdS-pInP. In: Studia Universitatis Moldaviae (Seria Ştiinţe Exacte şi Economice), 2015, nr. 2(82), pp. 72-75. ISSN 1857-2073. |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Studia Universitatis Moldaviae (Seria Ştiinţe Exacte şi Economice) | ||||||
Numărul 2(82) / 2015 / ISSN 1857-2073 /ISSNe 2345-1033 | ||||||
|
||||||
CZU: 535.2:621.311.243 | ||||||
Pag. 72-75 | ||||||
|
||||||
Descarcă PDF | ||||||
Rezumat | ||||||
Au fost studiate proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale heterojoncţiunilor nCdS-pInP cu şi fără strat epitaxial intermediar poInP. S-a stabilit că la polarizări directe în mecanismul de transport al curentului predomină procesele de recombinare în regiunea de sarcină spaţială. La polarizări inverse predomină procesele de tunelare. Prezenţa stratului epitaxial poInP depus repetat măreşte ISC până la 28,2 mA•cm-2, UCD până la 0,780 V, iar eficienţa conversiei energiei până la 15% la 300 K şi iluminare 100 mW/cm2. Fotosensibilitatea CF nCdS-poInP-pInP corespunde intervalului λ=550...950 nm cu un maximum plat localizat în intervalul λ=700...850 nm. |
||||||
Cuvinte-cheie heterojoncţiune, celulă fotovoltaică, fotosensibilitate., eficienţă |
||||||
|