Electrical and photoelectrical properties OF CdS/Cd1-xMnxTe heterojunctions
Închide
Conţinutul numărului revistei
Articolul precedent
Articolul urmator
177 3
Ultima descărcare din IBN:
2018-08-02 14:44
Căutarea după subiecte
similare conform CZU
535/537:621.315.592 (1)
Optică (51)
Căldură. Termodinamică. Fizică statistică (133)
Electricitate. Magnetism. Electromagnetism (391)
Electrotehnică (413)
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF
BibTeX
DataCite
Dublin Core
Studia Universitatis (Seria Ştiinţe Exacte şi Economice)
Numărul 2(82) / 2015 / ISSN 1857-2073 /ISSNe 2345-1033

Electrical and photoelectrical properties OF CdS/Cd1-xMnxTe heterojunctions

CZU: 535/537:621.315.592
Pag. 76-78

Gashin P., Nicorici Valentina, Cuznețova Snejana, Chetrush Petru, Suman Victor
 
State University of Moldova
 
Disponibil în IBN: 13 noiembrie 2015


Rezumat

Electrical and photoelectrical properties of CdS/Cd1-xMnxTe heterojunction at different temperatures from 293 K to 393 K were studied. The potential barrier at 293 K makes 0,78 V and is linearly decreasing with temperature increase with a temperature coefficient of 5,5•10-3 V•K-1. From lnIinv= f(1/T) dependence at U=1V the activation energy of 0,61 eV was determined. CdS/Cd0,6Mn0,4Te heterojunction spectral sensitivity at 300 K covers the wavelength region.

În intervalul de temperaturi de la 293K până la 393K au fost cercetate proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale heterojoncţiunilor CdS/Cd1-xMnxTe. La 293K potenţialul de difuzie constituie 0,78 V şi cu creşterea temperaturii mărimea lui se micşorează linear cu coeficientul termic egal cu 5,5•10-3 V•K-1. Din dependenţa lnIinv= f(1/T) la tensiunea de 1V a fost determinată energia de activare care este egală cu 0,61 eV. Spectrele fotoconductibilităţii denotă că la 300 K heterojoncţiunile CdS/Cd0,6Mn0,4Te sunt fotosensibile în regiunea de lungimi de undă 0,52€0,83μm.

Cuvinte-cheie
heterojunction, CdS / Cd1-xMnxTe, photoelectrical and electrical properties.