| Conţinutul numărului revistei |
| Articolul precedent |
| Articolul urmator |
 |
 856 4 |
| Ultima descărcare din IBN: 2019-12-31 15:34 |
| Căutarea după subiecte similare conform CZU |
| 535.2:621.311.243 (2) |
| Propagarea şi energetica radiaţiei. Fotometrie (13) |
| Electrotehnică (1153) |
 SM ISO690:2012BOTNARIUC, Vasile, GAŞIN, Petru, GORCEAC, Leonid, INCULEŢ, Ion, CINIC, Boris, COVAL, Andrei, RAEVSCHI, Simion. Celule fotovoltaice cu heterojoncţiunea nCdS-pInP. In: Studia Universitatis Moldaviae (Seria Ştiinţe Exacte şi Economice), 2015, nr. 2(82), pp. 72-75. ISSN 1857-2073. |
| EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
| Studia Universitatis Moldaviae (Seria Ştiinţe Exacte şi Economice) | ||||||
| Numărul 2(82) / 2015 / ISSN 1857-2073 /ISSNe 2345-1033 | ||||||
|
||||||
| CZU: 535.2:621.311.243 | ||||||
| Pag. 72-75 | ||||||
|
||||||
 Descarcă PDF |
||||||
| Rezumat | ||||||
Au fost studiate proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale heterojoncţiunilor nCdS-pInP cu şi fără strat epitaxial intermediar poInP. S-a stabilit că la polarizări directe în mecanismul de transport al curentului predomină procesele de recombinare în regiunea de sarcină spaţială. La polarizări inverse predomină procesele de tunelare. Prezenţa stratului epitaxial poInP depus repetat măreşte ISC până la 28,2 mA•cm-2, UCD până la 0,780 V, iar eficienţa conversiei energiei până la 15% la 300 K şi iluminare 100 mW/cm2. Fotosensibilitatea CF nCdS-poInP-pInP corespunde intervalului λ=550...950 nm cu un maximum plat localizat în intervalul λ=700...850 nm. |
||||||
| Cuvinte-cheie heterojoncţiune, celulă fotovoltaică, fotosensibilitate., eficienţă |
||||||
|
Dublin Core Export
<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?> <oai_dc:dc xmlns:dc='http://purl.org/dc/elements/1.1/' xmlns:oai_dc='http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/' xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xsi:schemaLocation='http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/ http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc.xsd'> <dc:creator>Botnariuc, V.F.</dc:creator> <dc:creator>Gaşin, P.A.</dc:creator> <dc:creator>Gorceac, L.L.</dc:creator> <dc:creator>Inculeţ, I.</dc:creator> <dc:creator>Cinic, B.S.</dc:creator> <dc:creator>Coval, A.V.</dc:creator> <dc:creator>Raevschi, S.D.</dc:creator> <dc:date>2015-07-01</dc:date> <dc:description xml:lang='ro'>Au fost studiate proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale heterojoncţiunilor nCdS-pInP cu şi fără strat epitaxial intermediar poInP. S-a stabilit că la polarizări directe în mecanismul de transport al curentului predomină procesele de recombinare în regiunea de sarcină spaţială. La polarizări inverse predomină procesele de tunelare. Prezenţa stratului epitaxial poInP depus repetat măreşte ISC până la 28,2 mA•cm-2, UCD până la 0,780 V, iar eficienţa conversiei energiei până la 15% la 300 K şi iluminare 100 mW/cm2. Fotosensibilitatea CF nCdS-poInP-pInP corespunde intervalului λ=550...950 nm cu un maximum plat localizat în intervalul λ=700...850 nm. </dc:description> <dc:description xml:lang='en'>Electrical and photoelectrical properties of nCdS-pInP hetero-junctions with and without intermediate poInP epitaxial layer were studied. It was established that the current flow mechanism at direct biases is determined mainly by the recombination processes in the space charge region of the junction. At the reverse biases the tunneling processes are predominant. The presence of poInP layer leads to the photo-electrical parameters enhancing of hetero-junction: short circuit current increases up to 28,2 mA•cm -2, open circuit voltage up to 0,780V and the efficiency of solar energy conversion up to 15 % (at 300 K and illumination of 100mw/cm2). The photo-sensitivity of nCdS- poInP -pInP is in the wavelength region of λ= 550-950nm with a maximum localized to λ=700-850nm</dc:description> <dc:source>Studia Universitatis Moldaviae (Seria Ştiinţe Exacte şi Economice) 82 (2) 72-75</dc:source> <dc:subject>heterojoncţiune</dc:subject> <dc:subject>celulă fotovoltaică</dc:subject> <dc:subject>fotosensibilitate.</dc:subject> <dc:subject>eficienţă</dc:subject> <dc:title>Celule fotovoltaice cu heterojoncţiunea nCdS-pInP</dc:title> <dc:type>info:eu-repo/semantics/article</dc:type> </oai_dc:dc>
|
|
|
