Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga2O3 obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga2O3
Închide
Articolul precedent
Articolul urmator
136 3
Ultima descărcare din IBN:
2019-05-22 09:13
SM ISO690:2012
UNTILA, Dumitru; SPRÎNCEANU, Veaceslav; CARAMAN, Mihail; COJOCARU, Ala; LUPAN, Oleg; TIGHINEANU, Ion; PALACHI, Leonid; CARAMAN, Iuliana. Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga2O3 obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga2O3. In: Telecommunications, Electronics and Informatics. 6, 24-27 mai 2018, Chișinău. Chișinău, Republica Moldova: Tehnica UTM, 2018, pp. 240-245. ISBN 978-9975-45-540-4.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF
BibTeX
DataCite
Dublin Core
Telecommunications, Electronics and Informatics
6, 2018
Conferința "Telecommunications, Electronics and Informatics"
Chișinău, Moldova, 24-27 mai 2018

Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga2O3 obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga2O3


Pag. 240-245

Untila Dumitru12, Sprînceanu Veaceslav1, Caraman Mihail1, Cojocaru Ala34, Lupan Oleg35, Tighineanu Ion52, Palachi Leonid6, Caraman Iuliana2
 
1 Universitatea de Stat din Moldova,
2 Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu" al AŞM,
3 Institute for Material Science, Christian-Albrechts- University of Kiel,
4 Phi-Stone AG, Kiel,
5 Universitatea Tehnică a Moldovei,
6 Universitatea Liberă Internaţională din Moldova
 
Disponibil în IBN: 30 mai 2018


Rezumat

Prin tratament termic (TT), în atmosferă normală, al monocristalelor β-Ga2S3, cu rețea cristalină monoclinică, la temperaturi din intervalul 970-1170 K, timp de 3-6 ore, suprafața acestora se acoperă cu un strat omogen de β-Ga2O3, cu rețea cristalină monoclinică. La interfața monocristal-oxid se formează nanocristalite de Ga2O3 și Ga2S3. Structura cristalină și dimensiunile medii ale cristalitelor sunt analizate prin măsurări XRD, SEM și Raman.

Cuvinte-cheie
Ga2S3, XRD, SEM, Raman,

oxidare,

Ga2O3