Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga2O3 obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga2O3
Închide
Articolul precedent
Articolul urmator
776 7
Ultima descărcare din IBN:
2024-01-24 15:36
SM ISO690:2012
UNTILA, Dumitru, SPRINCEAN, Veaceslav, CARAMAN, Mihail, COJOCARU, Ala, LUPAN, Oleg, TIGHINEANU, Ion, PALACHI, Leonid, CARAMAN, Iuliana. Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga2O3 obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga2O3. In: Telecommunications, Electronics and Informatics, Ed. 6, 24-27 mai 2018, Chișinău. Chișinău, Republica Moldova: 2018, Ed. 6, pp. 240-245. ISBN 978-9975-45-540-4.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Telecommunications, Electronics and Informatics
Ed. 6, 2018
Conferința "Telecommunications, Electronics and Informatics"
6, Chișinău, Moldova, 24-27 mai 2018

Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga2O3 obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga2O3


Pag. 240-245

Untila Dumitru12, Sprincean Veaceslav1, Caraman Mihail1, Cojocaru Ala34, Lupan Oleg35, Tighineanu Ion52, Palachi Leonid6, Caraman Iuliana2
 
1 Universitatea de Stat din Moldova,
2 Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu" al AŞM,
3 Institute for Material Science, Christian-Albrechts-University of Kiel,
4 Phi-Stone AG, Kiel,
5 Universitatea Tehnică a Moldovei,
6 Universitatea Liberă Internaţională din Moldova
 
Disponibil în IBN: 30 mai 2018


Rezumat

Prin tratament termic (TT), în atmosferă normală, al monocristalelor β-Ga2S3, cu rețea cristalină monoclinică, la temperaturi din intervalul 970-1170 K, timp de 3-6 ore, suprafața acestora se acoperă cu un strat omogen de β-Ga2O3, cu rețea cristalină monoclinică. La interfața monocristal-oxid se formează nanocristalite de Ga2O3 și Ga2S3. Structura cristalină și dimensiunile medii ale cristalitelor sunt analizate prin măsurări XRD, SEM și Raman.

Cuvinte-cheie
Ga2S3, Ga2O3, XRD, SEM, Raman,

oxidare