 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
| Articolul precedent |
| Articolul urmator |
 |
 327 5
|
| Ultima descărcare din IBN: 2020-10-14 16:40 |
 SM ISO690:2012UNTILA, Dumitru; SPRÎNCEANU, Veaceslav; CARAMAN, Mihail; COJOCARU, Ala; LUPAN, Oleg; TIGHINEANU, Ion; PALACHI, Leonid; CARAMAN, Iuliana. Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga2O3 obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga2O3. In: Telecommunications, Electronics and Informatics. 6, 24-27 mai 2018, Chișinău. Chișinău, Republica Moldova: 2018, pp. 240-245. ISBN 978-9975-45-540-4. |
| EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
| Telecommunications, Electronics and Informatics 6, 2018 |
|
|
Conferința "Telecommunications, Electronics and Informatics" Chișinău, Moldova, 24-27 mai 2018 | |
|
|
| Pag. 240-245 | |
 Descarcă PDF |
|
| Rezumat | |
Prin tratament termic (TT), în atmosferă normală, al monocristalelor β-Ga2S3, cu rețea cristalină monoclinică, la temperaturi din intervalul 970-1170 K, timp de 3-6 ore, suprafața acestora se acoperă cu un strat omogen de β-Ga2O3, cu rețea cristalină monoclinică. La interfața monocristal-oxid se formează nanocristalite de Ga2O3 și Ga2S3. Structura cristalină și dimensiunile medii ale cristalitelor sunt analizate prin măsurări XRD, SEM și Raman. |
|
| Cuvinte-cheie Ga2S3, XRD, SEM, Raman, oxidare, Ga2O3 |
|
|
|
|
|
