Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga2O3 obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga2O3

Untila Dumitru; Sprincean Veaceslav; Caraman Mihail; Cojocaru Ala; Lupan Oleg; Tighineanu Ion; Palachi Leonid; Caraman Iuliana

Articolul precedent

Articolul urmator

815

Ultima descărcare din IBN:
2024-01-24 15:36

SM ISO690:2012

UNTILA, Dumitru, SPRINCEAN, Veaceslav, CARAMAN, Mihail, COJOCARU, Ala, LUPAN, Oleg, TIGHINEANU, Ion, PALACHI, Leonid, CARAMAN, Iuliana. Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga2O3 obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga2O3. In: Telecommunications, Electronics and Informatics, Ed. 6, 24-27 mai 2018, Chișinău. Chișinău, Republica Moldova: 2018, Ed. 6, pp. 240-245. ISBN 978-9975-45-540-4.

EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core

Telecommunications, Electronics and Informatics
Ed. 6, 2018

Conferința "Telecommunications, Electronics and Informatics"
6, Chișinău, Moldova, 24-27 mai 2018

Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga₂O₃ obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga₂O₃

Pag. 240-245

Untila Dumitru¹², Sprincean Veaceslav¹, Caraman Mihail¹, Cojocaru Ala³⁴, Lupan Oleg³⁵, Tighineanu Ion⁵², Palachi Leonid⁶, Caraman Iuliana²

¹ Universitatea de Stat din Moldova,
² Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu" al AŞM,
³ Institute for Material Science, Christian-Albrechts-University of Kiel,
⁴ Phi-Stone AG, Kiel,
⁵ Universitatea Tehnică a Moldovei,
⁶ Universitatea Liberă Internaţională din Moldova

Disponibil în IBN: 30 mai 2018

Descarcă PDF

Rezumat

Prin tratament termic (TT), în atmosferă normală, al monocristalelor β-Ga2S3, cu rețea cristalină monoclinică, la temperaturi din intervalul 970-1170 K, timp de 3-6 ore, suprafața acestora se acoperă cu un strat omogen de β-Ga2O3, cu rețea cristalină monoclinică. La interfața monocristal-oxid se formează nanocristalite de Ga2O3 și Ga2S3. Structura cristalină și dimensiunile medii ale cristalitelor sunt analizate prin măsurări XRD, SEM și Raman.

Cuvinte-cheie
Ga2S3, Ga2O3, XRD, SEM, Raman,

oxidare

Dublin Core Export

<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?>
<oai_dc:dc xmlns:dc='http://purl.org/dc/elements/1.1/' xmlns:oai_dc='http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/' xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xsi:schemaLocation='http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/ http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc.xsd'>
<dc:creator>Untila, D.A.</dc:creator>
<dc:creator>Sprincean, V.</dc:creator>
<dc:creator>Caraman, M.I.</dc:creator>
<dc:creator>Cojocaru, A.</dc:creator>
<dc:creator>Lupan, O.I.</dc:creator>
<dc:creator>Tighineanu, I.M.</dc:creator>
<dc:creator>Palachi, L.</dc:creator>
<dc:creator>Caraman, I.M.</dc:creator>
<dc:date>2018</dc:date>
<dc:description xml:lang='ro'><p>Prin tratament termic (TT), &icirc;n atmosferă normală, al monocristalelor <em>&beta;</em>-Ga2S3, cu rețea cristalină monoclinică, la temperaturi din intervalul 970-1170 K, timp de 3-6 ore, suprafața acestora se acoperă cu un strat omogen de <em>&beta;</em>-Ga2O3, cu rețea cristalină monoclinică. La interfața monocristal-oxid se formează nanocristalite de Ga2O3 și Ga2S3. Structura cristalină și dimensiunile medii ale cristalitelor sunt analizate prin măsurări XRD, SEM și Raman.</p></dc:description>
<dc:source>Telecommunications, Electronics and Informatics (Ed. 6) 240-245</dc:source>
<dc:subject>Ga2S3</dc:subject>
<dc:subject>oxidare</dc:subject>
<dc:subject>Ga2O3</dc:subject>
<dc:subject>XRD</dc:subject>
<dc:subject>SEM</dc:subject>
<dc:subject>Raman</dc:subject>
<dc:title>Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga2O3 obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga2O3</dc:title>
<dc:type>info:eu-repo/semantics/article</dc:type>
</oai_dc:dc>