Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga2O3 obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga2O3

Untila Dumitru; Sprincean Veaceslav; Caraman Mihail; Cojocaru Ala; Lupan Oleg; Tighineanu Ion; Palachi Leonid; Caraman Iuliana

Articolul precedent

Articolul urmator

814

Ultima descărcare din IBN:
2024-01-24 15:36

SM ISO690:2012

UNTILA, Dumitru, SPRINCEAN, Veaceslav, CARAMAN, Mihail, COJOCARU, Ala, LUPAN, Oleg, TIGHINEANU, Ion, PALACHI, Leonid, CARAMAN, Iuliana. Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga2O3 obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga2O3. In: Telecommunications, Electronics and Informatics, Ed. 6, 24-27 mai 2018, Chișinău. Chișinău, Republica Moldova: 2018, Ed. 6, pp. 240-245. ISBN 978-9975-45-540-4.

EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core

Telecommunications, Electronics and Informatics
Ed. 6, 2018

Conferința "Telecommunications, Electronics and Informatics"
6, Chișinău, Moldova, 24-27 mai 2018

Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga₂O₃ obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga₂O₃

Pag. 240-245

Untila Dumitru¹², Sprincean Veaceslav¹, Caraman Mihail¹, Cojocaru Ala³⁴, Lupan Oleg³⁵, Tighineanu Ion⁵², Palachi Leonid⁶, Caraman Iuliana²

¹ Universitatea de Stat din Moldova,
² Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu" al AŞM,
³ Institute for Material Science, Christian-Albrechts-University of Kiel,
⁴ Phi-Stone AG, Kiel,
⁵ Universitatea Tehnică a Moldovei,
⁶ Universitatea Liberă Internaţională din Moldova

Disponibil în IBN: 30 mai 2018

Descarcă PDF

Rezumat

Prin tratament termic (TT), în atmosferă normală, al monocristalelor β-Ga2S3, cu rețea cristalină monoclinică, la temperaturi din intervalul 970-1170 K, timp de 3-6 ore, suprafața acestora se acoperă cu un strat omogen de β-Ga2O3, cu rețea cristalină monoclinică. La interfața monocristal-oxid se formează nanocristalite de Ga2O3 și Ga2S3. Structura cristalină și dimensiunile medii ale cristalitelor sunt analizate prin măsurări XRD, SEM și Raman.

Cuvinte-cheie
Ga2S3, Ga2O3, XRD, SEM, Raman,

oxidare

DataCite XML Export

<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?>
<resource xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xmlns='http://datacite.org/schema/kernel-3' xsi:schemaLocation='http://datacite.org/schema/kernel-3 http://schema.datacite.org/meta/kernel-3/metadata.xsd'>
<creators>
<creator>
<creatorName>Untila, D.A.</creatorName>
<affiliation>Universitatea de Stat din Moldova, Moldova, Republica</affiliation>
</creator>
<creator>
<creatorName>Sprincean, V.</creatorName>
<affiliation>Universitatea de Stat din Moldova, Moldova, Republica</affiliation>
</creator>
<creator>
<creatorName>Caraman, M.I.</creatorName>
<affiliation>Universitatea de Stat din Moldova, Moldova, Republica</affiliation>
</creator>
<creator>
<creatorName>Cojocaru, A.</creatorName>
<affiliation>Institute for Material Science, Christian-Albrechts-University of Kiel, Germania</affiliation>
</creator>
<creator>
<creatorName>Lupan, O.I.</creatorName>
<affiliation>Institute for Material Science, Christian-Albrechts-University of Kiel, Germania</affiliation>
</creator>
<creator>
<creatorName>Tighineanu, I.M.</creatorName>
<affiliation>Universitatea Tehnică a Moldovei, Moldova, Republica</affiliation>
</creator>
<creator>
<creatorName>Palachi, L.</creatorName>
<affiliation>Universitatea Liberă Internaţională din Moldova, Moldova, Republica</affiliation>
</creator>
<creator>
<creatorName>Caraman, I.M.</creatorName>
<affiliation>Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu" al AŞM, Moldova, Republica</affiliation>
</creator>
</creators>
<titles>
<title xml:lang='ro'>Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga2O3 obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga2O3</title>
</titles>
<publisher>Instrumentul Bibliometric National</publisher>
<publicationYear>2018</publicationYear>
<relatedIdentifier relatedIdentifierType='ISBN' relationType='IsPartOf'>978-9975-45-540-4</relatedIdentifier>
<subjects>
<subject>Ga2S3</subject>
<subject>oxidare</subject>
<subject>Ga2O3</subject>
<subject>XRD</subject>
<subject>SEM</subject>
<subject>Raman</subject>
</subjects>
<dates>
<date dateType='Issued'>2018</date>
</dates>
<resourceType resourceTypeGeneral='Text'>Conference Paper</resourceType>
<descriptions>
<description xml:lang='ro' descriptionType='Abstract'><p>Prin tratament termic (TT), &icirc;n atmosferă normală, al monocristalelor <em>&beta;</em>-Ga2S3, cu rețea cristalină monoclinică, la temperaturi din intervalul 970-1170 K, timp de 3-6 ore, suprafața acestora se acoperă cu un strat omogen de <em>&beta;</em>-Ga2O3, cu rețea cristalină monoclinică. La interfața monocristal-oxid se formează nanocristalite de Ga2O3 și Ga2S3. Structura cristalină și dimensiunile medii ale cristalitelor sunt analizate prin măsurări XRD, SEM și Raman.</p></description>
</descriptions>
<formats>
<format>application/pdf</format>
</formats>
</resource>