IBN
Închide
ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXZ
ЗСЭ

Despre revistă
Cautare
Domenii de acreditare
Domenii ştiinţifice
Anul fondării  1999
Tirajul revistei   
Vizibilitate internațională
Caracteristica articolelor
Limba de publicare
Vizibilitatea autorilor

Numărul curent

  Vol. 22 / i7-8 / 2020  (1 din 12)1    
 2020  (1 din 12)1    
Vol. 22, i7-8 1
 2017  (2 din 12)3    
Vol. 19, i5-6 1
Vol. 19, i3-4 2
 2016  (3 din 12)4    
Vol. 18, i9-10 1
Vol. 18, i11-12 1
Vol. 18, i1-2 2
 2015  (1 din 12)2    
Vol. 17, i7-8 2
 2014  (2 din 12)2    
Vol. 16, i7-8 1
Vol. 16, i1-2 1
 2013  (1 din 12)1    
Vol. 15, i11-12 1
 2012  (1 din 12)1    
Vol. 14, i7-8 1
 2011  (2 din 12)7    
Vol. 13, i9 1
Vol. 13, i11-12 6
 2010  (2 din 12)4    
Vol. 12, i8 1
Vol. 12, i4 3
 2009  (3 din 12)9    
Vol. 11, i12 7
Vol. 11, i6 1
Vol. 11, i4 1
 2008  (3 din 12)7    
Vol. 10, i12 2
Vol. 10, i11 2
Vol. 10, i4 3
 2007  (2 din 12)7    
Vol. 9, i10 6
Vol. 9, i6 1
 2006  (6 din 12)13    
Vol. 8, i6 2
Vol. 8, i5 1
Vol. 8, i4 2
Vol. 8, i3 2
Vol. 8, i2 2
Vol. 8, i1 4
 2005  (5 din 12)15    
Vol. 7, i6 1
Vol. 7, i5 3
Vol. 7, i4 1
Vol. 7, i3 2
Vol. 7, i2 8
 2003  (3 din 12)7    
Vol. 5, i5 5
Vol. 5, i4 1
Vol. 5, i2 1
 2002  (2 din 12)3    
Vol. 4, i4 1
Vol. 4, i1 2
 2001  (3 din 12)7    
Vol. 3, i4 1
Vol. 3, i2 4
Vol. 3, i1 2
 2000  (3 din 12)3    
Vol. 2, i4 1
Vol. 2, i3 1
Vol. 2, i1 1
 1999  (2 din 12)4    
Vol. 1, i2 2
Vol. 1, i1 2
imagine

pISSN: 1454-4164
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials
Factor de impact CiteScore 2021 - 1.1
Factor de impact SJR 2021 - 0.153
Factor de impact SNIP 2021 - 0.212

În ajutorul Colegiului de redacție în procedura de evaluare a revistei.
Notă: Descărcați formularele și completați cu datele lipsă.
Disponibil în IBN pentru perioada:
1999 - 2020
Clasificate
ÎnregistrateAccesateDescărcate
Articole100818427
Volume47321553
Total1471139980

Vizualizări   29

Conţinutul numărului de revistă

Electrical properties of ZnSe crystals doped with transition metals 733-737
Avdonin A. , Kolibaba Gleb , Nedeoglo Dumitru , Nedeoglo Natalia , Sirkeli Vadim
Photodarkening relaxation in amorphous as2Se3 films doped with rare-earth ions 763-770
Yovu M. , Boolchand Punit , Georgiev Daniel G.
Radiative centers formed by halogen molecules intercalated in MoS 2 and WS2 layered semiconductors 775-779
Dumchenko Dumitru , Gherman Corneliu , Kulyuk Leonid
Four-center resonance energy transfer in rare earth doped crystals 781-786
Candu Cristina , Ciobu Victor , Enaki Viorel
Electrical and photoelectrical properties of heterojunctions on the base of Cu(InGa)Se2 795-800
Ketrush Petru , Gashin Peter A. , Nicorici Valentina , Suman Victor
On the photomagnetic effect in CdTe thin films evaporated onto unheated substrates 811-815
Rusu George G. , Rusu Mihaela , Caraman Mihail
Infrared luminescence of gold-doped ZnSe crystals 837-840
Avdonin A. , Ivanova Galina , Kolibaba Gleb , Nedeoglo Dumitru , Nedeoglo Natalia , Sirkeli Vadim
Multiplasmon laser gain spectra of quantum wells 871-875
Klyukanov Alexandr , Gurău Virginia