Absorbția optică și fotoluminescența compozitului Ga2S3-Ga2O3
Închide
Articolul precedent
Articolul urmator
130 5
Ultima descărcare din IBN:
2019-10-09 07:49
SM ISO690:2012
CARAMAN, Iuliana; EVTODIEV, Igor; UNTILA, Dumitru; DMITROGLO, Liliana; EVTODIEV, Silvia; SPRÎNCEANU, Veaceslav; CARAMAN, Mihail; PALACHI, Leonid. Absorbția optică și fotoluminescența compozitului Ga2S3-Ga2O3. In: Telecommunications, Electronics and Informatics. 6, 24-27 mai 2018, Chișinău. Chișinău, Republica Moldova: Tehnica UTM, 2018, pp. 202-207. ISBN 978-9975-45-540-4.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF
BibTeX
DataCite
Dublin Core
Telecommunications, Electronics and Informatics
6, 2018
Conferința "Telecommunications, Electronics and Informatics"
Chișinău, Moldova, 24-27 mai 2018

Absorbția optică și fotoluminescența compozitului Ga2S3-Ga2O3


Pag. 202-207

Caraman Iuliana1, Evtodiev Igor23, Untila Dumitru2, Dmitroglo Liliana2, Sprînceanu Veaceslav2, Caraman Mihail2, Evtodiev Silvia42, Palachi Leonid5
 
1 Universitatea „Vasile Alecsandri”, Bacău,
2 Universitatea de Stat din Moldova,
3 Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu" al AŞM,
4 Universitatea de Studii Politice şi Economice Europene „Constantin Stere”,
5 Universitatea Liberă Internaţională din Moldova
 
Disponibil în IBN: 30 mai 2018


Rezumat

În această lucrare sunt studiate absorbția optică și fotoluminescența cristalelor de Ga2S3, obținute prin metoda CVT în atmosferă de I2, și a compozitului Ga2S3–Ga2O3, obținut prin tratament termic al monocristalelor de Ga2S3 în atmosferă normală, la temperatura 1073K. S-a determinat că în rezultatul tratamentului termic de lungă durată (12 ore) suprafața cristalelor de Ga2S3 se acoperă cu un strat granular de Ga2O3. Din măsurări ale reflexiei difuze, lățimea benzii interzise a stratului de Ga2O3 de pe suprafața monocristalului Ga2S3 a fost aproximată ca fiind egală cu 4,47 eV. La 300K, marginea benzii de absorbție a cristalelor de Ga2S3 este formată din trei sectoare în care au loc tranziții optice directe cu lățimea benzii interzise egală cu 3,020 eV, 3,178 eV și 3,312 eV, iar la 80K - cu 3,196 eV, 3,302 eV și 3,422 eV. Spectrul de FL a cristalelor de Ga2S3 conține doar o singură bandă în regiunea roșu a spectrului, ce se interpretează ca emisie radiativă a stratului de Ga2S3, iar spectrul de FL al compozitului Ga2S3–Ga2O3 pe lângă banda roșie conține și o bandă în regiunea violet–albastru a spectrului, ce se identifică ca emisie radiativă în cristalele de oxid din compozitul Ga2O3-Ga2S3.

Cuvinte-cheie
Ga2S3,

oxidare,

Ga2O3, absorbție optică, fotoluminescenţă