Conţinutul numărului revistei |
Articolul precedent |
Articolul urmator |
769 0 |
Căutarea după subiecte similare conform CZU |
621.315.592 (96) |
Electrotehnică (1154) |
SM ISO690:2012 ГАЙДАР, Г.П.. Тензосопротивление как источник информации о параметре анизотропии подвижности K = __| в многодолинных полупроводниках и некоторые новые возможности деформационной метрологии. In: Электронная обработка материалов, 2015, nr. 2(51), pp. 85-92. ISSN 0013-5739. |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Электронная обработка материалов | ||||||
Numărul 2(51) / 2015 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718 | ||||||
|
||||||
CZU: 621.315.592 | ||||||
Pag. 85-92 | ||||||
|
||||||
Descarcă PDF | ||||||
Rezumat | ||||||
В многодолинных слаболегированных полупроводниковых монокристаллах n-Ge и n-Si методом тензосопротивления исследована анизотропия подвижности основных носителей заряда при Т = 77,4К, и при указанных условиях получены значения параметра анизотропии подвижности: K = __/__ = 15,6 – в n-Ge и K = 5,89 – в n-Si. |
||||||
Cuvinte-cheie кремний, германий, тензосопротивление, параметр анизотропии подвижности |
||||||
|
Dublin Core Export
<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?> <oai_dc:dc xmlns:dc='http://purl.org/dc/elements/1.1/' xmlns:oai_dc='http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/' xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xsi:schemaLocation='http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/ http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc.xsd'> <dc:creator>Gaidar, G.P.</dc:creator> <dc:date>2015-04-24</dc:date> <dc:description xml:lang='ru'>В многодолинных слаболегированных полупроводниковых монокристаллах n-Ge и n-Si методом тензосопротивления исследована анизотропия подвижности основных носителей заряда при Т = 77,4К, и при указанных условиях получены значения параметра анизотропии подвижности: K = __/__ = 15,6 – в n-Ge и K = 5,89 – в n-Si.</dc:description> <dc:description xml:lang='en'>In the many-valley weakly doped semiconductor single crystals n-Ge and n-Si the anisotropy of mobility of majority charge carriers at Т = 77.4K was investigated and under these conditions the values of the anisotropy parameter of mobility were obtained: K = __/___ = 15.6 – in n-Ge and K = 5.89 – in n-Si. </dc:description> <dc:source>Электронная обработка материалов 51 (2) 85-92</dc:source> <dc:subject>кремний</dc:subject> <dc:subject>германий</dc:subject> <dc:subject>тензосопротивление</dc:subject> <dc:subject>параметр анизотропии подвижности</dc:subject> <dc:title>Тензосопротивление как источник информации о параметре анизотропии подвижности K = __| в многодолинных полупроводниках и некоторые новые возможности деформационной метрологии</dc:title> <dc:type>info:eu-repo/semantics/article</dc:type> </oai_dc:dc>