Тензосопротивление как источник информации о параметре анизотропии подвижности K = __| в многодолинных полупроводниках и некоторые новые возможности деформационной метрологии

Гайдар Г.П.

Conţinutul numărului revistei

Articolul precedent

Articolul urmator

768

Căutarea după subiecte
similare conform CZU

621.315.592 (96)

Electrotehnică (1154)

SM ISO690:2012

ГАЙДАР, Г.П.. Тензосопротивление как источник информации о параметре анизотропии подвижности K = __| в многодолинных полупроводниках и некоторые новые возможности деформационной метрологии. In: Электронная обработка материалов, 2015, nr. 2(51), pp. 85-92. ISSN 0013-5739.

EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core

Электронная обработка материалов

Numărul 2(51) / 2015 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718

Тензосопротивление как источник информации о параметре анизотропии подвижности K = __| в многодолинных полупроводниках и некоторые новые возможности деформационной метрологии

CZU: 621.315.592

Pag. 85-92

Гайдар Г.П.

Институт ядерных исследований НАН Украины

Disponibil în IBN: 17 ianuarie 2016

Descarcă PDF

Rezumat

В многодолинных слаболегированных полупроводниковых монокристаллах n-Ge и n-Si методом тензосопротивления исследована анизотропия подвижности основных носителей заряда при Т = 77,4К, и при указанных условиях получены значения параметра анизотропии подвижности: K = __/__ = 15,6 – в n-Ge и K = 5,89 – в n-Si.

In the many-valley weakly doped semiconductor single crystals n-Ge and n-Si the anisotropy of mobility of majority charge carriers at Т = 77.4K was investigated and under these conditions the values of the anisotropy parameter of mobility were obtained: K = __/___ = 15.6 – in n-Ge and K = 5.89 – in n-Si.

Cuvinte-cheie
кремний,

германий, тензосопротивление, параметр анизотропии подвижности

Crossref XML Export

<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?>
<doi_batch version='4.3.7' xmlns='http://www.crossref.org/schema/4.3.7' xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xsi:schemaLocation='http://www.crossref.org/schema/4.3.7 http://www.crossref.org/schema/deposit/crossref4.3.7.xsd'>
<head>
<doi_batch_id>ibn-41845</doi_batch_id>
<timestamp>1714219423</timestamp>
<depositor>
<depositor_name>Information Society Development Instiute, Republic of Moldova</depositor_name>
<email_address>idsi@asm.md</email_address>
</depositor>
<registrant>Academia de Ştiinţe a Moldovei</registrant>
</head>
<body>
<journal>
<journal_metadata>
<full_title>Электронная обработка материалов</full_title>
<issn media_type='print'>00135739</issn>
</journal_metadata>
<journal_issue>
<publication_date media_type='print'>
<year>2015</year>
</publication_date>
<issue>2(51)</issue>
</journal_issue>
<journal_article publication_type='full_text'><titles>
<title>Тензосопротивление как источник информации о параметре анизотропии подвижности K = __| в многодолинных полупроводниках и некоторые новые возможности деформационной метрологии</title>
</titles>
<contributors>
<person_name sequence='first' contributor_role='author'>
<given_name>G.</given_name>
<surname>Gaidar</surname>
</person_name>
</contributors>
<publication_date media_type='print'>
<year>2015</year>
</publication_date>
<pages>
<first_page>85</first_page>
<last_page>92</last_page>
</pages>
</journal_article>
</journal>
</body>
</doi_batch>