Тензосопротивление как источник информации о параметре анизотропии подвижности K = __| в многодолинных полупроводниках и некоторые новые возможности деформационной метрологии

Гайдар Г.П.

Conţinutul numărului revistei

Articolul precedent

Articolul urmator

763

Căutarea după subiecte
similare conform CZU

621.315.592 (96)

Electrotehnică (1154)

SM ISO690:2012

ГАЙДАР, Г.П.. Тензосопротивление как источник информации о параметре анизотропии подвижности K = __| в многодолинных полупроводниках и некоторые новые возможности деформационной метрологии. In: Электронная обработка материалов, 2015, nr. 2(51), pp. 85-92. ISSN 0013-5739.

EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core

Электронная обработка материалов

Numărul 2(51) / 2015 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718

Тензосопротивление как источник информации о параметре анизотропии подвижности K = __| в многодолинных полупроводниках и некоторые новые возможности деформационной метрологии

CZU: 621.315.592

Pag. 85-92

Гайдар Г.П.

Институт ядерных исследований НАН Украины

Disponibil în IBN: 17 ianuarie 2016

Descarcă PDF

Rezumat

В многодолинных слаболегированных полупроводниковых монокристаллах n-Ge и n-Si методом тензосопротивления исследована анизотропия подвижности основных носителей заряда при Т = 77,4К, и при указанных условиях получены значения параметра анизотропии подвижности: K = __/__ = 15,6 – в n-Ge и K = 5,89 – в n-Si.

In the many-valley weakly doped semiconductor single crystals n-Ge and n-Si the anisotropy of mobility of majority charge carriers at Т = 77.4K was investigated and under these conditions the values of the anisotropy parameter of mobility were obtained: K = __/___ = 15.6 – in n-Ge and K = 5.89 – in n-Si.

Cuvinte-cheie
кремний,

германий, тензосопротивление, параметр анизотропии подвижности

Cerif XML Export

<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?>
<CERIF xmlns='urn:xmlns:org:eurocris:cerif-1.5-1' xsi:schemaLocation='urn:xmlns:org:eurocris:cerif-1.5-1 http://www.eurocris.org/Uploads/Web%20pages/CERIF-1.5/CERIF_1.5_1.xsd' xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' release='1.5' date='2012-10-07' sourceDatabase='Output Profile'>
<cfResPubl>
<cfResPublId>ibn-ResPubl-41845</cfResPublId>
<cfResPublDate>2015-04-24</cfResPublDate>
<cfVol>51</cfVol>
<cfIssue>2</cfIssue>
<cfStartPage>85</cfStartPage>
<cfISSN>0013-5739</cfISSN>
<cfURI>https://ibn.idsi.md/ro/vizualizare_articol/41845</cfURI>
<cfTitle cfLangCode='RU' cfTrans='o'>Тензосопротивление как источник информации о параметре анизотропии подвижности K = __| в многодолинных полупроводниках и некоторые новые возможности деформационной метрологии</cfTitle>
<cfKeyw cfLangCode='RU' cfTrans='o'>кремний; германий; тензосопротивление; параметр анизотропии подвижности</cfKeyw>
<cfAbstr cfLangCode='RU' cfTrans='o'>В многодолинных слаболегированных полупроводниковых монокристаллах n-Ge и n-Si методом тензосопротивления исследована анизотропия подвижности основных носителей заряда при Т = 77,4К, и при указанных условиях получены значения параметра анизотропии подвижности: K = __/__ = 15,6 – в n-Ge и K = 5,89 – в n-Si.</cfAbstr>
<cfAbstr cfLangCode='EN' cfTrans='o'>In the many-valley weakly doped semiconductor single crystals n-Ge and n-Si the anisotropy of mobility of majority charge carriers at Т = 77.4K was investigated and under these conditions the values of the anisotropy parameter of mobility were obtained: K = __/___ = 15.6 – in n-Ge and K = 5.89 – in n-Si. </cfAbstr>
<cfResPubl_Class>
<cfClassId>eda2d9e9-34c5-11e1-b86c-0800200c9a66</cfClassId>
<cfClassSchemeId>759af938-34ae-11e1-b86c-0800200c9a66</cfClassSchemeId>
<cfStartDate>2015-04-24T24:00:00</cfStartDate>
</cfResPubl_Class>
<cfResPubl_Class>
<cfClassId>e601872f-4b7e-4d88-929f-7df027b226c9</cfClassId>
<cfClassSchemeId>40e90e2f-446d-460a-98e5-5dce57550c48</cfClassSchemeId>
<cfStartDate>2015-04-24T24:00:00</cfStartDate>
</cfResPubl_Class>
<cfPers_ResPubl>
<cfPersId>ibn-person-34349</cfPersId>
<cfClassId>49815870-1cfe-11e1-8bc2-0800200c9a66</cfClassId>
<cfClassSchemeId>b7135ad0-1d00-11e1-8bc2-0800200c9a66</cfClassSchemeId>
<cfStartDate>2015-04-24T24:00:00</cfStartDate>
</cfPers_ResPubl>
</cfResPubl>
<cfPers>
<cfPersId>ibn-Pers-34349</cfPersId>
<cfPersName_Pers>
<cfPersNameId>ibn-PersName-34349-1</cfPersNameId>
<cfClassId>55f90543-d631-42eb-8d47-d8d9266cbb26</cfClassId>
<cfClassSchemeId>7375609d-cfa6-45ce-a803-75de69abe21f</cfClassSchemeId>
<cfStartDate>2015-04-24T24:00:00</cfStartDate>
<cfFamilyNames>Гайдар</cfFamilyNames>
<cfFirstNames>Г.П.</cfFirstNames>
</cfPersName_Pers>
</cfPers>
</CERIF>