Тензосопротивление как источник информации о параметре анизотропии подвижности K = __| в многодолинных полупроводниках и некоторые новые возможности деформационной метрологии

Гайдар Г.П.

Conţinutul numărului revistei

Articolul precedent

Articolul urmator

766

Căutarea după subiecte
similare conform CZU

621.315.592 (96)

Electrotehnică (1154)

SM ISO690:2012

ГАЙДАР, Г.П.. Тензосопротивление как источник информации о параметре анизотропии подвижности K = __| в многодолинных полупроводниках и некоторые новые возможности деформационной метрологии. In: Электронная обработка материалов, 2015, nr. 2(51), pp. 85-92. ISSN 0013-5739.

EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core

Электронная обработка материалов

Numărul 2(51) / 2015 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718

Тензосопротивление как источник информации о параметре анизотропии подвижности K = __| в многодолинных полупроводниках и некоторые новые возможности деформационной метрологии

CZU: 621.315.592

Pag. 85-92

Гайдар Г.П.

Институт ядерных исследований НАН Украины

Disponibil în IBN: 17 ianuarie 2016

Descarcă PDF

Rezumat

В многодолинных слаболегированных полупроводниковых монокристаллах n-Ge и n-Si методом тензосопротивления исследована анизотропия подвижности основных носителей заряда при Т = 77,4К, и при указанных условиях получены значения параметра анизотропии подвижности: K = __/__ = 15,6 – в n-Ge и K = 5,89 – в n-Si.

In the many-valley weakly doped semiconductor single crystals n-Ge and n-Si the anisotropy of mobility of majority charge carriers at Т = 77.4K was investigated and under these conditions the values of the anisotropy parameter of mobility were obtained: K = __/___ = 15.6 – in n-Ge and K = 5.89 – in n-Si.

Cuvinte-cheie
кремний,

германий, тензосопротивление, параметр анизотропии подвижности

DataCite XML Export

<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?>
<resource xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xmlns='http://datacite.org/schema/kernel-3' xsi:schemaLocation='http://datacite.org/schema/kernel-3 http://schema.datacite.org/meta/kernel-3/metadata.xsd'>
<creators>
<creator>
<creatorName>Gaidar, G.P.</creatorName>
<affiliation>Институт ядерных исследований НАН Украины, Ucraina</affiliation>
</creator>
</creators>
<titles>
<title xml:lang='ru'>Тензосопротивление как источник информации о параметре анизотропии подвижности K = __| в многодолинных полупроводниках и некоторые новые возможности деформационной метрологии</title>
</titles>
<publisher>Instrumentul Bibliometric National</publisher>
<publicationYear>2015</publicationYear>
<relatedIdentifier relatedIdentifierType='ISSN' relationType='IsPartOf'>0013-5739</relatedIdentifier>
<subjects>
<subject>кремний</subject>
<subject>германий</subject>
<subject>тензосопротивление</subject>
<subject>параметр анизотропии подвижности</subject>
<subject schemeURI='http://udcdata.info/' subjectScheme='UDC'>621.315.592</subject>
</subjects>
<dates>
<date dateType='Issued'>2015-04-24</date>
</dates>
<resourceType resourceTypeGeneral='Text'>Journal article</resourceType>
<descriptions>
<description xml:lang='ru' descriptionType='Abstract'>В многодолинных слаболегированных полупроводниковых монокристаллах n-Ge и n-Si методом тензосопротивления исследована анизотропия подвижности основных носителей заряда при Т = 77,4К, и при указанных условиях получены значения параметра анизотропии подвижности: K = __/__ = 15,6 – в n-Ge и K = 5,89 – в n-Si.</description>
<description xml:lang='en' descriptionType='Abstract'>In the many-valley weakly doped semiconductor single crystals n-Ge and n-Si the anisotropy of mobility of majority charge carriers at Т = 77.4K was investigated and under these conditions the values of the anisotropy parameter of mobility were obtained: K = __/___ = 15.6 – in n-Ge and K = 5.89 – in n-Si. </description>
</descriptions>
<formats>
<format>application/pdf</format>
</formats>
</resource>