We developed (i) a technology to form Au-Ge-TiB_x-Au ohmic contacts to indium phosphide Gunn diodes on the basis of n-n⁺-n ⁺⁺ epitaxial structures made on the standard and porous n ⁺⁺-InP substrates, (N) batch-fabrication technique for mesas with gold heat sink, and (iii) technique for diode chip packaging in a metal-quartz package. It is shown that the Gunn diodes of both types (on the standard and porous substrates) ensure generation of microwave power in the 88-98 GHz frequency range. When operating under normal climatic conditions and at a temperature no less than -40 °C, the power output P_out of the Gunn diodes made on the porous substrates is over that of the ones made on the standard substrates. At package temperature of +75 °C, the power output of the Gunn diodes of both types decreases, with P_out value of the diodes made on the porous substrate becoming somewhat below that of the ones made on the standard substrate. We suppose that the reason for P_out decrease is the temperature dependence of thermal conductivity which is different in the standard and porous InP.

Разработаны технология формирования омических контактов Au–Ge–TiBx–Au к фосфидиндиевым диодам Ганна на основе n-n+ -n++ эпитаксиальных структур, изготовленных на стандартных и пористых подложках n++- InP, групповая технология изготовления мезаструктур с золотым теплоотводом и технология корпусирования диодных чипов в металлокварцевый корпус. Показано, что диоды Ганна обоих типов (на стандартных и пористых подложках) генерируют СВЧ мощность в диапазоне частот 88- 98 ГГц. При работе в нормальных климатических условиях и при температуре не ниже –40 °С выходная мощность Рвых диодов Ганна, изготовленных на пористых подложках, выше, чем у диодов Ганна на стандартных подложках. При температуре корпуса +75 °С выходная мощность диодов Ганна обоих типов уменьшается, но в диодах на пористой подложке Рвых становится несколько меньше по сравнению с диодами Ганна на стандартной подложке. Предполагаемая причина уменьшения Рвых обусловлена температурной зависимостью теплопроводности, различной в пористом материале и в стандартном InP