IBN
Închide
ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXZ
ЗСЭ

Despre revistă
Cautare
Domenii de acreditare
Domenii ştiinţifice
Anul fondării  1981
Tirajul revistei   
Vizibilitate internațională
Caracteristica articolelor
Limba de publicare
Vizibilitatea autorilor

Numărul curent

  Vol. 26 / i6 / 1991  (1 din 12)1    
 1991  (1 din 12)1    
Vol. 26, i6 1
 1990  (1 din 12)1    
Vol. 25, i4 1
 1986  (1 din 12)1    
Vol. 21, i2 1
 1985  (1 din 12)1    
Vol. 20, i6 1
imagine

pISSN: 0232-1300
eISSN: 1521-4079
Crystal Research and Technology
Factor de impact CiteScore 2022 - 2.3
Factor de impact SJR 2022 - 0.347
Factor de impact SNIP 2022 - 0.577

În ajutorul Colegiului de redacție în procedura de evaluare a revistei.
Notă: Descărcați formularele și completați cu datele lipsă.
Disponibil în IBN pentru perioada:
1985 - 1991
Clasificate
ÎnregistrateAccesateDescărcateDOI
Articole428104
Volume41400
Total84210

Vizualizări   39

Conţinutul numărului de revistă

The influence of annealing in as vapours upon electrical properties of GaAs single crystals 78-81

DOI: 10.1002/crat.2170250426

Pyshnaya N. , Radautsanu Sergiu , Tiginyanu Ion , Ursachi Veaceslav , Ursu Vasile