Conţinutul numărului revistei |
Articolul precedent |
Articolul urmator |
946 1 |
Ultima descărcare din IBN: 2022-02-14 14:39 |
Căutarea după subiecte similare conform CZU |
621.315 (167) |
Electrotehnică (1160) |
SM ISO690:2012 СИМАШКЕВИЧ, Алексей, ШЕРБАН, Д., КАРАМАН, М., RUSU, Marin, БРУК, Л., CURMEI, Nicolai. Фотовольтаические структуры ITO/SiOх/n-Si повышенной эффективности . In: Электронная обработка материалов, 2016, nr. 3(52), pp. 53-57. ISSN 0013-5739. |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Электронная обработка материалов | |||||||
Numărul 3(52) / 2016 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718 | |||||||
|
|||||||
CZU: 621.315 | |||||||
Pag. 53-57 | |||||||
|
|||||||
Descarcă PDF | |||||||
Rezumat | |||||||
Изготовлены структуры ITO/SiOх/n-Si пульверизацией растворов хлоридов индия и олова на поверхность (100) пластин кремния с удельным сопротивлением 4,5 Ом·см. Изучено влияние состояния поверхности Si на эффективность структур как фотоэлектрических преобразователей. Показано, что наиболее эффективными являются структуры с непротравленной поверхностью пластин кремния. Солнечные элементы на основе исследованных структур ITO/SiOх/n-Si c инверсным слоем демонстрируют в условиях АМ 1,5 эффективность, близкую к 16%. |
|||||||
Cuvinte-cheie солнечный элемент (СЭ), гетеропереход, эффективность преобразования, ITO, Si |
|||||||
|
DataCite XML Export
<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?> <resource xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xmlns='http://datacite.org/schema/kernel-3' xsi:schemaLocation='http://datacite.org/schema/kernel-3 http://schema.datacite.org/meta/kernel-3/metadata.xsd'> <creators> <creator> <creatorName>Simaşchevici, A.V.</creatorName> <affiliation>Institutul de Fizică Aplicată al AŞM, Moldova, Republica</affiliation> </creator> <creator> <creatorName>Şerban, D.A.</creatorName> <affiliation>Institutul de Fizică Aplicată al AŞM, Moldova, Republica</affiliation> </creator> <creator> <creatorName>Caraman, M.I.</creatorName> <affiliation>Universitatea de Stat din Moldova, Moldova, Republica</affiliation> </creator> <creator> <creatorName>Rusu, M.I.</creatorName> <affiliation>Helmholtz-Centre Berlin for Materials and Energy, Germania</affiliation> </creator> <creator> <creatorName>Bruc, L.I.</creatorName> <affiliation>Institutul de Fizică Aplicată al AŞM, Moldova, Republica</affiliation> </creator> <creator> <creatorName>Curmei, N.N.</creatorName> <affiliation>Institutul de Fizică Aplicată al AŞM, Moldova, Republica</affiliation> </creator> </creators> <titles> <title xml:lang='ru'>Фотовольтаические структуры ITO/SiOх/n-Si повышенной эффективности </title> </titles> <publisher>Instrumentul Bibliometric National</publisher> <publicationYear>2016</publicationYear> <relatedIdentifier relatedIdentifierType='ISSN' relationType='IsPartOf'>0013-5739</relatedIdentifier> <subjects> <subject>солнечный элемент (СЭ)</subject> <subject>ITO</subject> <subject>Si</subject> <subject>гетеропереход</subject> <subject>эффективность преобразования</subject> <subject schemeURI='http://udcdata.info/' subjectScheme='UDC'>621.315</subject> </subjects> <dates> <date dateType='Issued'>2016-06-24</date> </dates> <resourceType resourceTypeGeneral='Text'>Journal article</resourceType> <descriptions> <description xml:lang='ru' descriptionType='Abstract'>Изготовлены структуры ITO/SiOх/n-Si пульверизацией растворов хлоридов индия и олова на поверхность (100) пластин кремния с удельным сопротивлением 4,5 Ом·см. Изучено влияние состояния поверхности Si на эффективность структур как фотоэлектрических преобразователей. Показано, что наиболее эффективными являются структуры с непротравленной поверхностью пластин кремния. Солнечные элементы на основе исследованных структур ITO/SiOх/n-Si c инверсным слоем демонстрируют в условиях АМ 1,5 эффективность, близкую к 16%. </description> </descriptions> <formats> <format>application/pdf</format> </formats> </resource>