Фотовольтаические структуры ITO/SiOх/n-Si повышенной эффективности

Симашкевич Алексей; Шербан Д.; Караман М.; Rusu Marin; Брук Л.; Curmei Nicolai

Conţinutul numărului revistei

Articolul precedent

Articolul urmator

929

Ultima descărcare din IBN:
2022-02-14 14:39

Căutarea după subiecte
similare conform CZU

621.315 (167)

Электротехника (1154)

SM ISO690:2012

СИМАШКЕВИЧ, Алексей, ШЕРБАН, Д., КАРАМАН, М., RUSU, Marin, БРУК, Л., CURMEI, Nicolai. Фотовольтаические структуры ITO/SiOх/n-Si повышенной эффективности . In: Электронная обработка материалов, 2016, nr. 3(52), pp. 53-57. ISSN 0013-5739.

EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core

Электронная обработка материалов

Numărul 3(52) / 2016 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718

Фотовольтаические структуры ITO/SiOх/n-Si повышенной эффективности

CZU: 621.315

Pag. 53-57

Симашкевич Алексей¹, Шербан Д.¹, Караман М.², Rusu Marin³, Брук Л.¹, Curmei Nicolai¹

¹ Институт прикладной физики АНМ,
² Молдавский Государственный Университет,
³ Helmholtz-Centre Berlin for Materials and Energy

Proiecte:

INTAS Marker-assisted breeding of new seedless grapevine varieties with resistance to stressful environmental conditions

Disponibil în IBN: 11 noiembrie 2016

Descarcă PDF

Rezumat

Изготовлены структуры ITO/SiOх/n-Si пульверизацией растворов хлоридов индия и олова на поверхность (100) пластин кремния с удельным сопротивлением 4,5 Ом·см. Изучено влияние состояния поверхности Si на эффективность структур как фотоэлектрических преобразователей. Показано, что наиболее эффективными являются структуры с непротравленной поверхностью пластин кремния. Солнечные элементы на основе исследованных структур ITO/SiOх/n-Si c инверсным слоем демонстрируют в условиях АМ 1,5 эффективность, близкую к 16%.

Cuvinte-cheie
солнечный элемент (СЭ), гетеропереход, эффективность преобразования,

ITO, Si

DataCite XML Export

<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?>
<resource xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xmlns='http://datacite.org/schema/kernel-3' xsi:schemaLocation='http://datacite.org/schema/kernel-3 http://schema.datacite.org/meta/kernel-3/metadata.xsd'>
<creators>
<creator>
<creatorName>Simaşchevici, A.V.</creatorName>
<affiliation>Institutul de Fizică Aplicată al AŞM, Moldova, Republica</affiliation>
</creator>
<creator>
<creatorName>Şerban, D.A.</creatorName>
<affiliation>Institutul de Fizică Aplicată al AŞM, Moldova, Republica</affiliation>
</creator>
<creator>
<creatorName>Caraman, M.I.</creatorName>
<affiliation>Universitatea de Stat din Moldova, Moldova, Republica</affiliation>
</creator>
<creator>
<creatorName>Rusu, M.I.</creatorName>
<affiliation>Helmholtz-Centre Berlin for Materials and Energy, Germania</affiliation>
</creator>
<creator>
<creatorName>Bruc, L.I.</creatorName>
<affiliation>Institutul de Fizică Aplicată al AŞM, Moldova, Republica</affiliation>
</creator>
<creator>
<creatorName>Curmei, N.N.</creatorName>
<affiliation>Institutul de Fizică Aplicată al AŞM, Moldova, Republica</affiliation>
</creator>
</creators>
<titles>
<title xml:lang='ru'>Фотовольтаические структуры ITO/SiOх/n-Si повышенной эффективности </title>
</titles>
<publisher>Instrumentul Bibliometric National</publisher>
<publicationYear>2016</publicationYear>
<relatedIdentifier relatedIdentifierType='ISSN' relationType='IsPartOf'>0013-5739</relatedIdentifier>
<subjects>
<subject>солнечный элемент (СЭ)</subject>
<subject>ITO</subject>
<subject>Si</subject>
<subject>гетеропереход</subject>
<subject>эффективность преобразования</subject>
<subject schemeURI='http://udcdata.info/' subjectScheme='UDC'>621.315</subject>
</subjects>
<dates>
<date dateType='Issued'>2016-06-24</date>
</dates>
<resourceType resourceTypeGeneral='Text'>Journal article</resourceType>
<descriptions>
<description xml:lang='ru' descriptionType='Abstract'>Изготовлены структуры ITO/SiOх/n-Si пульверизацией растворов хлоридов индия и олова на поверхность (100) пластин кремния с удельным сопротивлением 4,5 Ом·см. Изучено влияние состояния поверхности Si на эффективность структур как фотоэлектрических преобразователей. Показано, что наиболее эффективными являются структуры с непротравленной поверхностью пластин кремния. Солнечные элементы на основе исследованных структур ITO/SiOх/n-Si c инверсным слоем демонстрируют в условиях АМ 1,5 эффективность, близкую к 16%. </description>
</descriptions>
<formats>
<format>application/pdf</format>
</formats>
</resource>