Фотовольтаические структуры ITO/SiOх/n-Si повышенной эффективности

Симашкевич Алексей; Шербан Д.; Караман М.; Rusu Marin; Брук Л.; Curmei Nicolai

Conţinutul numărului revistei

Articolul precedent

Articolul urmator

918

Ultima descărcare din IBN:
2022-02-14 14:39

Căutarea după subiecte
similare conform CZU

621.315 (167)

Электротехника (1154)

SM ISO690:2012

СИМАШКЕВИЧ, Алексей, ШЕРБАН, Д., КАРАМАН, М., RUSU, Marin, БРУК, Л., CURMEI, Nicolai. Фотовольтаические структуры ITO/SiOх/n-Si повышенной эффективности . In: Электронная обработка материалов, 2016, nr. 3(52), pp. 53-57. ISSN 0013-5739.

EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core

Электронная обработка материалов

Numărul 3(52) / 2016 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718

Фотовольтаические структуры ITO/SiOх/n-Si повышенной эффективности

CZU: 621.315

Pag. 53-57

Симашкевич Алексей¹, Шербан Д.¹, Караман М.², Rusu Marin³, Брук Л.¹, Curmei Nicolai¹

¹ Институт прикладной физики АНМ,
² Молдавский Государственный Университет,
³ Helmholtz-Centre Berlin for Materials and Energy

Proiecte:

INTAS Marker-assisted breeding of new seedless grapevine varieties with resistance to stressful environmental conditions

Disponibil în IBN: 11 noiembrie 2016

Descarcă PDF

Rezumat

Изготовлены структуры ITO/SiOх/n-Si пульверизацией растворов хлоридов индия и олова на поверхность (100) пластин кремния с удельным сопротивлением 4,5 Ом·см. Изучено влияние состояния поверхности Si на эффективность структур как фотоэлектрических преобразователей. Показано, что наиболее эффективными являются структуры с непротравленной поверхностью пластин кремния. Солнечные элементы на основе исследованных структур ITO/SiOх/n-Si c инверсным слоем демонстрируют в условиях АМ 1,5 эффективность, близкую к 16%.

Cuvinte-cheie
солнечный элемент (СЭ), гетеропереход, эффективность преобразования,

ITO, Si

Crossref XML Export

<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?>
<doi_batch version='4.3.7' xmlns='http://www.crossref.org/schema/4.3.7' xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xsi:schemaLocation='http://www.crossref.org/schema/4.3.7 http://www.crossref.org/schema/deposit/crossref4.3.7.xsd'>
<head>
<doi_batch_id>ibn-48129</doi_batch_id>
<timestamp>1714226175</timestamp>
<depositor>
<depositor_name>Information Society Development Instiute, Republic of Moldova</depositor_name>
<email_address>idsi@asm.md</email_address>
</depositor>
<registrant>Academia de Ştiinţe a Moldovei</registrant>
</head>
<body>
<journal>
<journal_metadata>
<full_title>Электронная обработка материалов</full_title>
<issn media_type='print'>00135739</issn>
</journal_metadata>
<journal_issue>
<publication_date media_type='print'>
<year>2016</year>
</publication_date>
<issue>3(52)</issue>
</journal_issue>
<journal_article publication_type='full_text'><titles>
<title>Фотовольтаические структуры ITO/SiOх/n-Si повышенной эффективности </title>
</titles>
<contributors>
<person_name sequence='first' contributor_role='author'>
<given_name>Alexei</given_name>
<surname>Simaşchevici</surname>
</person_name>
<person_name sequence='additional' contributor_role='author'>
<given_name>Dormidont</given_name>
<surname>Şerban</surname>
</person_name>
<person_name sequence='additional' contributor_role='author'>
<given_name>Mihail</given_name>
<surname>Caraman</surname>
</person_name>
<person_name sequence='additional' contributor_role='author'>
<given_name>Marin</given_name>
<surname>Rusu</surname>
</person_name>
<person_name sequence='additional' contributor_role='author'>
<given_name>Leonid</given_name>
<surname>Bruc</surname>
</person_name>
<person_name sequence='additional' contributor_role='author'>
<given_name>Nicolai</given_name>
<surname>Curmei</surname>
</person_name>
</contributors>
<publication_date media_type='print'>
<year>2016</year>
</publication_date>
<pages>
<first_page>53</first_page>
<last_page>57</last_page>
</pages>
</journal_article>
</journal>
</body>
</doi_batch>