Materiale inteligente pe bază de semiconductori
Închide
Articolul precedent
Articolul urmator
182 2
Ultima descărcare din IBN:
2023-12-27 14:54
Căutarea după subiecte
similare conform CZU
538.9 (350)
Fizica materiei condensate. Fizica solidului (349)
SM ISO690:2012
POSTOLACHI, Igor, GUŢULEAC, Leonid. Materiale inteligente pe bază de semiconductori. In: Abordări inter/transdisciplinare în predarea ştiinţelor reale, (concept STEAM)., Ed. Ediţia a 3-a, 27-28 octombrie 2023, Chişinău. Chişinău: CEP UPSC, 2023, Ediția a 3-a, pp. 423-427. ISBN 978-9975-46-813-8. DOI: https://doi.org/10.46727/c.steam-2023.p423-427
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Abordări inter/transdisciplinare în predarea ştiinţelor reale, (concept STEAM).
Ediția a 3-a, 2023
Conferința "Abordări inter/transdisciplinare în predarea științelor reale, (concept STEAM)."
Ediţia a 3-a, Chişinău, Moldova, 27-28 octombrie 2023

Materiale inteligente pe bază de semiconductori

DOI:https://doi.org/10.46727/c.steam-2023.p423-427
CZU: 538.9

Pag. 423-427

Postolachi Igor, Guţuleac Leonid
 
Universitatea Pedagogică de Stat „Ion Creangă“ din Chişinău
 
 
Disponibil în IBN: 8 decembrie 2023


Rezumat

În lucrare este descrisă perspectiva utilizării semiconductorilor de tipul GaSb și GaSb dopat cu Fe în calitate de element fotosensibil pentru detectoarele infraroșii de radiație în domeniul 1-2,5 μm. Filmele fotosensibile de p-GaSb și p-GaSb(Fe) au fost obținute prin metoda descărcărilor electrice de plasmă și prin metoda ablației laser.

The paper describes the prospect of using GaSb and GaSb semiconductors doped with Fe as a photosensitive element for infrared radiation detectors in the range of 1-2.5 μm. The photosensitive films of p-GaSb and p-GaSb (Fe) were obtained by the plasma electric discharge method and the laser ablation method.

Cuvinte-cheie
detectoare de radiație infraroșie, antimoniu de galiu, ablație laser,

infrared radiation detectors, gallium antimony, laser ablation