| Articolul precedent |
| Articolul urmator |
 |
 183 2 |
| Ultima descărcare din IBN: 2023-12-27 14:54 |
| Căutarea după subiecte similare conform CZU |
| 538.9 (350) |
| Fizica materiei condensate. Fizica solidului (349) |
 SM ISO690:2012POSTOLACHI, Igor, GUŢULEAC, Leonid. Materiale inteligente pe bază de semiconductori. In: Abordări inter/transdisciplinare în predarea ştiinţelor reale, (concept STEAM)., Ed. Ediţia a 3-a, 27-28 octombrie 2023, Chişinău. Chişinău: CEP UPSC, 2023, Ediția a 3-a, pp. 423-427. ISBN 978-9975-46-813-8. DOI: https://doi.org/10.46727/c.steam-2023.p423-427 |
| EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
| Abordări inter/transdisciplinare în predarea ştiinţelor reale, (concept STEAM). Ediția a 3-a, 2023 |
||||||
|
Conferința "Abordări inter/transdisciplinare în predarea științelor reale, (concept STEAM)." Ediţia a 3-a, Chişinău, Moldova, 27-28 octombrie 2023 | ||||||
|
||||||
| DOI:https://doi.org/10.46727/c.steam-2023.p423-427 | ||||||
| CZU: 538.9 | ||||||
| Pag. 423-427 | ||||||
|
||||||
 Descarcă PDF |
||||||
| Rezumat | ||||||
În lucrare este descrisă perspectiva utilizării semiconductorilor de tipul GaSb și GaSb dopat cu Fe în calitate de element fotosensibil pentru detectoarele infraroșii de radiație în domeniul 1-2,5 μm. Filmele fotosensibile de p-GaSb și p-GaSb(Fe) au fost obținute prin metoda descărcărilor electrice de plasmă și prin metoda ablației laser. |
||||||
| Cuvinte-cheie detectoare de radiație infraroșie, antimoniu de galiu, ablație laser, infrared radiation detectors, gallium antimony, laser ablation |
||||||
|
Dublin Core Export
<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?> <oai_dc:dc xmlns:dc='http://purl.org/dc/elements/1.1/' xmlns:oai_dc='http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/' xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xsi:schemaLocation='http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/ http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc.xsd'> <dc:creator>Postolachi, I.T.</dc:creator> <dc:creator>Guţuleac, L.M.</dc:creator> <dc:date>2023</dc:date> <dc:description xml:lang='ro'><p>În lucrare este descrisă perspectiva utilizării semiconductorilor de tipul GaSb și GaSb dopat cu Fe în calitate de element fotosensibil pentru detectoarele infraroșii de radiație în domeniul 1-2,5 μm. Filmele fotosensibile de p-GaSb și p-GaSb(Fe) au fost obținute prin metoda descărcărilor electrice de plasmă și prin metoda ablației laser.</p></dc:description> <dc:description xml:lang='en'><p>The paper describes the prospect of using GaSb and GaSb semiconductors doped with Fe as a photosensitive element for infrared radiation detectors in the range of 1-2.5 μm. The photosensitive films of p-GaSb and p-GaSb (Fe) were obtained by the plasma electric discharge method and the laser ablation method.</p></dc:description> <dc:source>Abordări inter/transdisciplinare în predarea ştiinţelor reale, (concept STEAM). (Ediția a 3-a) 423-427</dc:source> <dc:subject>detectoare de radiație infraroșie</dc:subject> <dc:subject>antimoniu de galiu</dc:subject> <dc:subject>ablație laser</dc:subject> <dc:subject>infrared radiation detectors</dc:subject> <dc:subject>gallium antimony</dc:subject> <dc:subject>laser ablation</dc:subject> <dc:title>Materiale inteligente pe bază de semiconductori</dc:title> <dc:type>info:eu-repo/semantics/article</dc:type> </oai_dc:dc>
|
|
|
