ZnSe-based solar-blind ultraviolet photodetectors with different schottky contact metals
Închide
Conţinutul numărului revistei
Articolul precedent
Articolul urmator
518 27
Ultima descărcare din IBN:
2024-03-11 20:30
Căutarea după subiecte
similare conform CZU
621.383.4-039.647`231 (1)
Electrotehnică (1154)
SM ISO690:2012
SIRKELI, Vadim, NEDEOGLO, Natalia, NEDEOGLO, Dumitru, YILMAZOGLU, Oktay, HAJO, Ahid S., PREU, Sascha, KUPPERS, Franko, HARTNAGEL, Hans Ludwig. ZnSe-based solar-blind ultraviolet photodetectors with different schottky contact metals. In: Studia Universitatis Moldaviae (Seria Ştiinţe Exacte şi Economice), 2021, nr. 2(142), pp. 59-67. ISSN 1857-2073. DOI: https://doi.org/10.5281/zenodo.5094718
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Studia Universitatis Moldaviae (Seria Ştiinţe Exacte şi Economice)
Numărul 2(142) / 2021 / ISSN 1857-2073 /ISSNe 2345-1033

ZnSe-based solar-blind ultraviolet photodetectors with different schottky contact metals

Fotodetectoare ultraviolete solar-blind pe baza ZnSe cu diferite metale de contact schottky

DOI:https://doi.org/10.5281/zenodo.5094718
CZU: 621.383.4-039.647`231

Pag. 59-67

Sirkeli Vadim1, Nedeoglo Natalia1, Nedeoglo Dumitru1, Yilmazoglu Oktay2, Hajo Ahid S.2, Preu Sascha2, Kuppers Franko2, Hartnagel Hans Ludwig2
 
1 Moldova State University,
2 Darmstadt University of Technology
 
Proiecte:
 
Disponibil în IBN: 14 iulie 2021


Rezumat

We report on the selection of contact metallisations for ZnSe-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors. Our evaluation is based on Ni/Au, Cr/Au, and hybrid Ag-nanowire contacts. Low values of dark current of 0.32 nA, 0.82 nA and 1.64 nA at bias voltage of 15 V were achieved for photodetectors with Ag-NW, Ni/Au and Cr/Au interdigital contacts, respectively. The best performance of our ZnSe-based ultraviolet photodetectors is observed for Ni/Au interdigital contacts. This is due to the higher Schottky barrier height, which is equal to ~ 1.49 eV for Ni/Au contacts in comparison with ~ 1.26 eV for Cr/Au contacts. A very high responsivity of 5.40 AW-1 at bias voltage of 15 V for light with a wavelength of 325 nm is obtained for devices with Ni/Au interdigital contacts. Moreover, the maximum of photocurrent on/off ratio of 20342 and minimum of NEP of ~ 3 × 10-15 W Hz-1/2 at bias voltage of 15 V was achieved for this type of device.

Se raportează despre alegerea metalelor de contact pentru fotodetectoarele ultraviolete de tip metal-semiconductormetal bazate pe ZnSe. Evaluarea noastră se bazează pe contactele Ni/Au, Cr/Au și pe hibridul Ag-nanofir. Valorile scăzute ale curentului întunecat de 0,32 nA, 0,82 nA și 1,64 nA la tensiunea de polarizare de 15 V au fost atinse pentru fotodetectoarele cu contacte interdigitale Ag-NW, Ni/Au și, respectiv, Cr/Au. Cea mai bună performanță a fotodetectoarelor ultraviolete bazate pe ZnSe se observă pentru contactele interdigitale Ni/Au. Acest lucru s-a dovedit a fi posibil datorită înălțimii mai mari a barierei Schottky care este egală cu ~ 1,49 eV pentru contactele Ni/Au, în comparație cu ~ 1,26 eV pentru contactele Cr/Au. O sensibilitate foarte mare de 5,40 A W-1 la tensiunea de polarizare de 15 V pentru lumină cu lungimea de undă de 325 nm este obținută pentru dispozitivele cu contacte interdigitale Ni/Au. Raportul maxim de pornire/oprire a fotocurentului egal cu 20342 și minimul puterii echivalente de zgomot (NEP) egale cu ~ 3 × 10-15 W Hz-1/2 la tensiunea de polarizare de 15 V au fost atinse pentru acest tip de dispozitiv.

Cuvinte-cheie
Zinc selenide, metal-semiconductor-metal structures, Schottky diodes, ultraviolet photodetectors, impact ionization,

seleniură de zinc, structuri metal-semiconductor-metal, diode Schottky, fotodetectoare ultraviolete, ionizare prin coliziuni