Гетероструктуры на базе вюртцитных материалов GaN, AlN и InN привлекают пристальное внимание исследователей благодаря высокой температурной и полевой стабильности этих материалов [1-2]. В представленной работе было исследовано влияние внешнего электрического поля на подвижность электрона в плоской трехслойной вюртцитной гетероструктуре AlN/GaN/AlN. Была продемонстрирована возможность увеличения подвижности электрона в канале гетероструктуры путем компенсации встроенного электрического поля внешним электрическим полем. В расчетах была учтена специфика оптических фононных мод в таких гетероструктурах и рассмотрено взаимодействие электрона с обоими типами фононных мод: конфайнмент и поверхностными. Также было показано, что другой способ увеличения подвижности электрона в гетероструктуре связан с созданием ультратонкого InxGa1-xN слоя в центре GaN ямы с низкой концентрацией In (x~0.05). Показано, что подвижность электрона в AlN/GaN/In0.05Ga0.95N/GaN/AlN гетероструктуре в пять раз выше, чем в AlN/GaN/AlN гетероструктуре, что объясняется “втягиванием” электронной волновой функции в In0.05Ga0.95N и сильным ослаблением взаимодействия электрона с поверхностными фононами GaN/AlN интерфейса. Предложенные способы увеличения подвижности электрона в гетероструктурах могут быть использованы для оптимизации транзисторов и устройств на базе GaN.