<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?>
<resource xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xmlns='http://datacite.org/schema/kernel-3' xsi:schemaLocation='http://datacite.org/schema/kernel-3 http://schema.datacite.org/meta/kernel-3/metadata.xsd'>
<creators>
<creator>
<creatorName>Nica, D.L.</creatorName>
<affiliation>Universitatea de Stat din Moldova, Moldova, Republica</affiliation>
</creator>
<creator>
<creatorName>Pocatilov, E.P.</creatorName>
<affiliation>Universitatea de Stat din Moldova, Moldova, Republica</affiliation>
</creator>
</creators>
<titles>
<title xml:lang='ru'>Увеличение подвижности электрона во вюртцитных плоских гетероструктурах ALN/GAN/ALN</title>
</titles>
<publisher>Instrumentul Bibliometric National</publisher>
<publicationYear>2008</publicationYear>
<relatedIdentifier relatedIdentifierType='ISBN' relationType='IsPartOf'>978-9975-62-196-0</relatedIdentifier>
<subjects>
<subject>подвижность</subject>
<subject>конфайнмент</subject>
<subject>фононы</subject>
</subjects>
<dates>
<date dateType='Issued'>2008</date>
</dates>
<resourceType resourceTypeGeneral='Text'>Conference Paper</resourceType>
<descriptions>
<description xml:lang='ru' descriptionType='Abstract'><p>Гетероструктуры на базе вюртцитных материалов GaN, AlN и InN привлекают пристальное внимание исследователей благодаря высокой температурной и полевой стабильности этих материалов [1-2]. В представленной работе было исследовано влияние внешнего электрического поля на подвижность электрона в плоской трехслойной вюртцитной гетероструктуре AlN/GaN/AlN. Была продемонстрирована возможность увеличения подвижности электрона в канале гетероструктуры путем компенсации встроенного электрического поля внешним электрическим полем. В расчетах была учтена специфика оптических фононных мод в таких гетероструктурах и рассмотрено взаимодействие электрона с обоими типами фононных мод: конфайнмент и поверхностными. Также было показано, что другой способ увеличения подвижности электрона в гетероструктуре связан с созданием ультратонкого InxGa1-xN слоя в центре GaN ямы с низкой концентрацией In (x~0.05). Показано, что подвижность электрона в AlN/GaN/In0.05Ga0.95N/GaN/AlN гетероструктуре в пять раз выше, чем в AlN/GaN/AlN гетероструктуре, что объясняется &ldquo;втягиванием&rdquo; электронной волновой функции в In0.05Ga0.95N и сильным ослаблением взаимодействия электрона с поверхностными фононами GaN/AlN интерфейса. Предложенные способы увеличения подвижности электрона в гетероструктурах могут быть использованы для оптимизации транзисторов и устройств на базе GaN.</p></description>
</descriptions>
<formats>
<format>application/pdf</format>
</formats>
</resource>