Rueck Dorothee M. 
Cuvinte-cheie (11): Semiconductor device manufacture (1), Crystal growth from melt (1), Electric conductivity (1)
| Dinamica numărului de publicaţii pe ani |  |  | |
| Dinamica articolelor pe ani |  | ||
| Distribuirea numărului de pagini publicate pe categorii de reviste și ani | | ||
| Distribuirea articolelor pe domenii şi ani | |  | |
| Colaborarea autorului |  |  | |
| Dinamica descărcărilor pe ani | | ||
Publicaţii peste hotare - 1.
- 6. Publicații la manifestări științifice de peste hotare
- 6.3.Alte publicații la manifestări științifice de peste hotare - 1
Raman and electrical characterization of n-InP implanted by 630-keV nitrogen   |
Tiginyanu Ion  , Miao Jianmin , Hartnagel Hans Ludwig , Rueck Dorothee M. , Tinschert Klaus , Ursachi Veaceslav , Ichizli V. |
| Darmstadt University of Technology |
| Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials |
| Ediţia 8. 1996. New Jersey. ISSN 10928669. |
| Disponibil online 25 January, 2024. Descarcări-0. Vizualizări-82 |
