IBN
Închide
Miao Jianmin
Dinamica numărului de publicaţii pe ani
Dinamica articolelor pe ani
Distribuirea numărului de pagini publicate pe categorii de reviste și ani
Distribuirea articolelor pe domenii şi ani
Colaborarea autorului
Dinamica descărcărilor pe ani
Scopus Author ID

Publicaţii peste hotare - 2.
Publicații indexate în SCOPUS - 1.
XLS PDF DOC
SM ISO690:2012
DOC
ISO 690:2012Clasificate
  • 4. Articole în reviste de peste hotare
  • 4.1.Articole în reviste din WoS - 1
  • 4.2.Articole în reviste din Scopus - 1
  • 6. Publicații la manifestări științifice de peste hotare
  • 6.3.Alte publicații la manifestări științifice de peste hotare - 1

1997 - 1

The characteristics of high-resistance layers produced in n-GaAs using MeV-nitrogen implantation for three-dimensional structuring
Miao Jianmin , Tiginyanu Ion12 , Hartnagel Hans Ludwig3 , Irmer Gert4 , Monecke Jochen4 , Weiss Bernard L.5
1 Darmstadt University of Technology,
2 Institute of Applied Physics, Academy of Sciences of Moldova,
3 Technical University Darmstadt,
4 Institut für Theoretische Physik, TU Bergakademie Freiberg,
5 University of Surrey
Applied Physics Letters
Vol. 70, / 1997 / ISSN 0003-6951
Disponibil online 19 June, 2023. Descarcări-0. Vizualizări-163
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

1996 - 1

Raman and electrical characterization of n-InP implanted by 630-keV nitrogen
Tiginyanu Ion , Miao Jianmin , Hartnagel Hans Ludwig , Rueck Dorothee M. , Tinschert Klaus , Ursachi Veaceslav , Ichizli V.
Darmstadt University of Technology
Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
Ediţia 8. 1996. New Jersey. ISSN 10928669.
Disponibil online 25 January, 2024. Descarcări-0. Vizualizări-83
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
1 - 2 of 2