Articolul precedent |
Articolul urmator |
843 7 |
Ultima descărcare din IBN: 2024-01-24 15:36 |
SM ISO690:2012 UNTILA, Dumitru, SPRINCEAN, Veaceslav, CARAMAN, Mihail, COJOCARU, Ala, LUPAN, Oleg, TIGHINEANU, Ion, PALACHI, Leonid, CARAMAN, Iuliana. Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga2O3 obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga2O3. In: Telecommunications, Electronics and Informatics, Ed. 6, 24-27 mai 2018, Chișinău. Chișinău, Republica Moldova: 2018, Ed. 6, pp. 240-245. ISBN 978-9975-45-540-4. |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Telecommunications, Electronics and Informatics Ed. 6, 2018 |
|
Conferința "Telecommunications, Electronics and Informatics" 6, Chișinău, Moldova, 24-27 mai 2018 | |
|
|
Pag. 240-245 | |
Descarcă PDF | |
Rezumat | |
Prin tratament termic (TT), în atmosferă normală, al monocristalelor β-Ga2S3, cu rețea cristalină monoclinică, la temperaturi din intervalul 970-1170 K, timp de 3-6 ore, suprafața acestora se acoperă cu un strat omogen de β-Ga2O3, cu rețea cristalină monoclinică. La interfața monocristal-oxid se formează nanocristalite de Ga2O3 și Ga2S3. Structura cristalină și dimensiunile medii ale cristalitelor sunt analizate prin măsurări XRD, SEM și Raman. |
|
Cuvinte-cheie Ga2S3, Ga2O3, XRD, SEM, Raman, oxidare |
|
|
Dublin Core Export
<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?> <oai_dc:dc xmlns:dc='http://purl.org/dc/elements/1.1/' xmlns:oai_dc='http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/' xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xsi:schemaLocation='http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/ http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc.xsd'> <dc:creator>Untila, D.A.</dc:creator> <dc:creator>Sprincean, V.</dc:creator> <dc:creator>Caraman, M.I.</dc:creator> <dc:creator>Cojocaru, A.</dc:creator> <dc:creator>Lupan, O.I.</dc:creator> <dc:creator>Tighineanu, I.M.</dc:creator> <dc:creator>Palachi, L.</dc:creator> <dc:creator>Caraman, I.M.</dc:creator> <dc:date>2018</dc:date> <dc:description xml:lang='ro'><p>Prin tratament termic (TT), în atmosferă normală, al monocristalelor <em>β</em>-Ga2S3, cu rețea cristalină monoclinică, la temperaturi din intervalul 970-1170 K, timp de 3-6 ore, suprafața acestora se acoperă cu un strat omogen de <em>β</em>-Ga2O3, cu rețea cristalină monoclinică. La interfața monocristal-oxid se formează nanocristalite de Ga2O3 și Ga2S3. Structura cristalină și dimensiunile medii ale cristalitelor sunt analizate prin măsurări XRD, SEM și Raman.</p></dc:description> <dc:source>Telecommunications, Electronics and Informatics (Ed. 6) 240-245</dc:source> <dc:subject>Ga2S3</dc:subject> <dc:subject>oxidare</dc:subject> <dc:subject>Ga2O3</dc:subject> <dc:subject>XRD</dc:subject> <dc:subject>SEM</dc:subject> <dc:subject>Raman</dc:subject> <dc:title>Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga2O3 obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga2O3</dc:title> <dc:type>info:eu-repo/semantics/article</dc:type> </oai_dc:dc>