IBN
Закрыть
ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXZ
ЗСЭ

Despre revistă
Cautare
Domenii de acreditare
Domenii ştiinţifice
Acces la textul integral
Tirajul revistei   
Vizibilitate internațională
Caracteristica articolelor
Limba de publicare
Vizibilitatea autorilor

Numărul curent

  Vol. 55 / / 2021  (1 din 1)1    
 2021  (1 din 1)1    
Vol. 55 1
 2020  (1 din 1)1    
Vol. 54, i11 1
 2019  (2 din 1)3    
Vol. 53, i16 1
Vol. 53, i5 2
 2018  (2 din 4)2    
Vol. 52, i16 1
Vol. 52, i14 1
 2017  (2 din 4)2    
Vol. 51, i5 1
Vol. 51, i4 1
 2015  (1 din 4)1    
Vol. 49, i6 1
 2014  (2 din 4)2    
Vol. 48, i5 1
Vol. 48, i2 1
 2012  (2 din 4)2    
Vol. 46, i8 1
Vol. 46, i3 1
 2011  (1 din 4)1    
Vol. 45, i8 1
 2009  (1 din 4)1    
Vol. 43, i5 1
 2008  (4 din 4)4    
Vol. 42, i9 1
Vol. 42, i7 1
Vol. 42, i6 1
Vol. 42, i2 1
 2007  (2 din 4)2    
Vol. 41, i10 1
Vol. 41, i6 1
 2006  (3 din 4)4    
Vol. 40, i11 1
Vol. 40, i10 2
Vol. 40, i9 1
 2005  (2 din 4)2    
Vol. 39, i11 1
Vol. 39, i3 1
 2002  (3 din 4)3    
Vol. 36, i8 1
Vol. 36, i7 1
Vol. 36, i5 1
 2001  (1 din 4)1    
Vol. 35, i6 1
 2000  (2 din 4)2    
Vol. 34, i7 1
Vol. 34, i6 1
 1999  (4 din 4)5    
Vol. 33, i7 2
Vol. 33, i4 1
Vol. 33, i3 1
Vol. 33, i1 1
 1998  (5 din 4)6    
Vol. 32, i10 1
Vol. 32, i8 1
Vol. 32, i4 1
Vol. 32, i2 2
Vol. 32, i1 1
 1997  (4 din 4)5    
Vol. 31, i11 1
Vol. 31, i7 1
Vol. 31, i3 1
Vol. 31, i2 2
 1996  (3 din 4)3    
Vol. 30, i4 1
Vol. 30, i3 1
Vol. 30, i1 1
imagine

pISSN: 1063-7826
Semiconductors
Factor de impact CiteScore 2022 - 0.6
Factor de impact SJR 2022 - 0.241
Factor de impact SNIP 2022 - 0.341

În ajutorul Colegiului de redacție în procedura de evaluare a revistei.
Notă: Descărcați formularele și completați cu datele lipsă.
Disponibil în IBN pentru perioada:
1996 - 2021
Clasificate
ÎnregistrateAccesateDescărcateDOI
Articole539475350
Volume48591487
Total1011538990

Vizualizări   82

Conţinutul numărului de revistă

Some aspects of selection of impurities improving photoelectric characteristics of chalcogenide vitreous semiconductors 208-210

DOI: 10.1134/s1063782608020164

Burdiyan I. , Cosiuc Vasile , Pynzar R.