Отжиг радиационных дефектов в кремнии

Гайдар Г.П.

Conţinutul numărului revistei

Articolul precedent

Articolul urmator

640

Ultima descărcare din IBN:
2023-03-27 17:19

Căutarea după subiecte
similare conform CZU

621.315.592 (96)

Electrotehnică (1154)

SM ISO690:2012

ГАЙДАР, Г.П.. Отжиг радиационных дефектов в кремнии . In: Электронная обработка материалов, 2012, nr. 1(48), pp. 93-105. ISSN 0013-5739.

EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core

Электронная обработка материалов

Numărul 1(48) / 2012 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718

Отжиг радиационных дефектов в кремнии

CZU: 621.315.592

Pag. 93-105

Гайдар Г.П.

Институт ядерных исследований НАН Украины

Disponibil în IBN: 22 martie 2017

Descarcă PDF

Rezumat

Теоретически описан отжиг основных радиационных дефектов в кремнии (А-центров, Е-центров, дивакансий и т. д.) на основе экспериментальных данных, полученных многими авторами; определены параметры, характеризующие этот процесс (энергии активации и частотные факторы), а также предложены различные механизмы и реакции, согласно которым происходят процессы отжига дефектов.

In this paper the annealing of the main radiation defects in silicon (A-centers, E-centers, divacancies, etc.) was theoretically described based on the experimental data obtained by many authors. The parameters characterizing this process (activation energies and frequency factors) have been determined and various mechanisms and reactions, which set conditions for annealing of the defects were also proposed.

DataCite XML Export

<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?>
<resource xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xmlns='http://datacite.org/schema/kernel-3' xsi:schemaLocation='http://datacite.org/schema/kernel-3 http://schema.datacite.org/meta/kernel-3/metadata.xsd'>
<creators>
<creator>
<creatorName>Gaidar, G.P.</creatorName>
<affiliation>Институт ядерных исследований НАН Украины, Ucraina</affiliation>
</creator>
</creators>
<titles>
<title xml:lang='ru'>Отжиг радиационных дефектов в кремнии </title>
</titles>
<publisher>Instrumentul Bibliometric National</publisher>
<publicationYear>2012</publicationYear>
<relatedIdentifier relatedIdentifierType='ISSN' relationType='IsPartOf'>0013-5739</relatedIdentifier>
<subjects>
<subject schemeURI='http://udcdata.info/' subjectScheme='UDC'>621.315.592</subject>
</subjects>
<dates>
<date dateType='Issued'>2012-02-22</date>
</dates>
<resourceType resourceTypeGeneral='Text'>Journal article</resourceType>
<descriptions>
<description xml:lang='ru' descriptionType='Abstract'>Теоретически описан отжиг основных радиационных дефектов в кремнии (А-центров, Е-центров, дивакансий и т. д.) на основе экспериментальных данных, полученных многими авторами; определены параметры, характеризующие этот процесс (энергии активации и частотные факторы), а также предложены различные механизмы и реакции, согласно которым происходят процессы отжига дефектов.	</description>
<description xml:lang='en' descriptionType='Abstract'>In this paper the annealing of the main radiation defects in silicon (A-centers, E-centers, divacancies, etc.) was theoretically described based on the experimental data obtained by many authors. The parameters characterizing this process (activation energies and frequency factors) have been determined and various mechanisms and reactions, which set conditions for annealing of the defects were also proposed. </description>
</descriptions>
<formats>
<format>application/pdf</format>
</formats>
</resource>