| Conţinutul numărului revistei |
| Articolul precedent |
| Articolul urmator |
 |
 642 3 |
| Ultima descărcare din IBN: 2023-03-27 17:19 |
| Căutarea după subiecte similare conform CZU |
| 621.315.592 (96) |
| Electrotehnică (1154) |
 SM ISO690:2012ГАЙДАР, Г.П.. Отжиг радиационных дефектов в кремнии . In: Электронная обработка материалов, 2012, nr. 1(48), pp. 93-105. ISSN 0013-5739. |
| EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
 Электронная обработка материалов |
||||||
| Numărul 1(48) / 2012 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718 | ||||||
|
||||||
| CZU: 621.315.592 | ||||||
| Pag. 93-105 | ||||||
|
||||||
 Descarcă PDF |
||||||
| Rezumat | ||||||
Теоретически описан отжиг основных радиационных дефектов в кремнии (А-центров, Е-центров, дивакансий и т. д.) на основе экспериментальных данных, полученных многими авторами; определены параметры, характеризующие этот процесс (энергии активации и частотные факторы), а также предложены различные механизмы и реакции, согласно которым происходят процессы отжига дефектов. |
||||||
|
Cerif XML Export
<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?> <CERIF xmlns='urn:xmlns:org:eurocris:cerif-1.5-1' xsi:schemaLocation='urn:xmlns:org:eurocris:cerif-1.5-1 http://www.eurocris.org/Uploads/Web%20pages/CERIF-1.5/CERIF_1.5_1.xsd' xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' release='1.5' date='2012-10-07' sourceDatabase='Output Profile'> <cfResPubl> <cfResPublId>ibn-ResPubl-51028</cfResPublId> <cfResPublDate>2012-02-22</cfResPublDate> <cfVol>48</cfVol> <cfIssue>1</cfIssue> <cfStartPage>93</cfStartPage> <cfISSN>0013-5739</cfISSN> <cfURI>https://ibn.idsi.md/ro/vizualizare_articol/51028</cfURI> <cfTitle cfLangCode='RU' cfTrans='o'>Отжиг радиационных дефектов в кремнии </cfTitle> <cfAbstr cfLangCode='RU' cfTrans='o'>Теоретически описан отжиг основных радиационных дефектов в кремнии (А-центров, Е-центров, дивакансий и т. д.) на основе экспериментальных данных, полученных многими авторами; определены параметры, характеризующие этот процесс (энергии активации и частотные факторы), а также предложены различные механизмы и реакции, согласно которым происходят процессы отжига дефектов. </cfAbstr> <cfAbstr cfLangCode='EN' cfTrans='o'>In this paper the annealing of the main radiation defects in silicon (A-centers, E-centers, divacancies, etc.) was theoretically described based on the experimental data obtained by many authors. The parameters characterizing this process (activation energies and frequency factors) have been determined and various mechanisms and reactions, which set conditions for annealing of the defects were also proposed. </cfAbstr> <cfResPubl_Class> <cfClassId>eda2d9e9-34c5-11e1-b86c-0800200c9a66</cfClassId> <cfClassSchemeId>759af938-34ae-11e1-b86c-0800200c9a66</cfClassSchemeId> <cfStartDate>2012-02-22T24:00:00</cfStartDate> </cfResPubl_Class> <cfResPubl_Class> <cfClassId>e601872f-4b7e-4d88-929f-7df027b226c9</cfClassId> <cfClassSchemeId>40e90e2f-446d-460a-98e5-5dce57550c48</cfClassSchemeId> <cfStartDate>2012-02-22T24:00:00</cfStartDate> </cfResPubl_Class> <cfPers_ResPubl> <cfPersId>ibn-person-34349</cfPersId> <cfClassId>49815870-1cfe-11e1-8bc2-0800200c9a66</cfClassId> <cfClassSchemeId>b7135ad0-1d00-11e1-8bc2-0800200c9a66</cfClassSchemeId> <cfStartDate>2012-02-22T24:00:00</cfStartDate> </cfPers_ResPubl> </cfResPubl> <cfPers> <cfPersId>ibn-Pers-34349</cfPersId> <cfPersName_Pers> <cfPersNameId>ibn-PersName-34349-1</cfPersNameId> <cfClassId>55f90543-d631-42eb-8d47-d8d9266cbb26</cfClassId> <cfClassSchemeId>7375609d-cfa6-45ce-a803-75de69abe21f</cfClassSchemeId> <cfStartDate>2012-02-22T24:00:00</cfStartDate> <cfFamilyNames>Гайдар</cfFamilyNames> <cfFirstNames>Г.П.</cfFirstNames> </cfPersName_Pers> </cfPers> </CERIF>
|
|
|
