Conţinutul numărului revistei |
Articolul precedent |
Articolul urmator |
745 6 |
Ultima descărcare din IBN: 2023-10-11 10:47 |
Căutarea după subiecte similare conform CZU |
621.9.048.4 (36) |
Prelucrare mecanică și așchierea. Prelucrare abrazivă. Ciocane și prese (129) |
SM ISO690:2012 TOPALĂ, Pavel, MELNIC, Vasile, GUZGAN, Dorin. Micro-oxidation of silicon surfaces by means of electrical discharges in impulse. In: Fizică şi tehnică: procese, modele, experimente, 2013, nr. 2, pp. 32-36. ISSN 1857-0437. |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Fizică şi tehnică: procese, modele, experimente | ||||||
Numărul 2 / 2013 / ISSN 1857-0437 | ||||||
|
||||||
CZU: 621.9.048.4 | ||||||
Pag. 32-36 | ||||||
|
||||||
Descarcă PDF | ||||||
Rezumat | ||||||
The paper presents the results of the theoretical and experimental study of the formation of oxide films on silicon surfaces by means of rapid thermal oxidation in plasma caused by electrical discharges in impulse. The oxidation process has been carried out under normal atmospheric conditions. It has been shown that the properties of the oxide films depend on the processing power as well as the electrode base materials. |
||||||
Cuvinte-cheie discharge, oxidationof silicon surface, oxide films, descărcare, oxidarea suprafeţelor din siliciu, pelicule de oxizi |
||||||
|
Dublin Core Export
<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?> <oai_dc:dc xmlns:dc='http://purl.org/dc/elements/1.1/' xmlns:oai_dc='http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/' xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xsi:schemaLocation='http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/ http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc.xsd'> <dc:creator>Topală, P.A.</dc:creator> <dc:creator>Melnic, V.</dc:creator> <dc:creator>Guzgan, D.G.</dc:creator> <dc:date>2013-12-02</dc:date> <dc:description xml:lang='en'>The paper presents the results of the theoretical and experimental study of the formation of oxide films on silicon surfaces by means of rapid thermal oxidation in plasma caused by electrical discharges in impulse. The oxidation process has been carried out under normal atmospheric conditions. It has been shown that the properties of the oxide films depend on the processing power as well as the electrode base materials.</dc:description> <dc:description xml:lang='ro'>Articolul prezintă rezultatele strudiul teoretico-experimental privind formarea peliculelor de oxizi pe suprafeţele din siliciu cu ajutorul oxidării termice rapide în plasma cauzată de descărcările electrice în impuls. Procesul de oxidare a fost obţinut în atmosferă în condiţii normale. Se arată că proprietăţile peliculelor de oxizi depind de puterea disipată pe suprafaţa prelucrată, precum şi de materialul de bază a electrozilor.</dc:description> <dc:source>Fizică şi tehnică: procese, modele, experimente (2) 32-36</dc:source> <dc:subject>discharge</dc:subject> <dc:subject>oxidationof silicon surface</dc:subject> <dc:subject>oxide films</dc:subject> <dc:subject>descărcare</dc:subject> <dc:subject>oxidarea suprafeţelor din siliciu</dc:subject> <dc:subject>pelicule de oxizi</dc:subject> <dc:title>Micro-oxidation of silicon surfaces by means of electrical discharges in impulse</dc:title> <dc:type>info:eu-repo/semantics/article</dc:type> </oai_dc:dc>