In this paper results of studying CdS/ZnTe heterostructures synthesized by the quasi-closed space sublimation method on glass substrates coated with an ITO layer are described. The electrical and photoelectric properties of the structures are studied using current–voltage and capacitance–voltage characteristics in a temperature range of 30–100 °C. Analysis of the experimental data shows that the main specific feature of CdS/ZnTe structures is the formation of a high-resistance transition layer, which affects the separation of carriers at the barrier contact. The current carrier concentration in the space charge region, which is determined from the capacitance–voltage characteristics, is 1 x 10¹⁵ cm^-3; this fact suggests that one of the contacting materials—ZnTe—exhibits a high resistivity. Measurements of current–voltage characteristics in the solar cell mode give the following photoelectric parameters: open circuit voltage (UOC = 0.53 V, JSC = 27–30 µA/cm2, and FF = 0.25.

In aceasta lucrare sunt descrise rezultatele studierii heterostructurilor CdS/ZnTe sintetizate prin metoda sublimării în spațiu cvasi-închis pe substraturi de sticlă acoperite cu un strat de ITO. Proprietățile electrice și fotoelectrice ale structurilor au fost studiate folosind caracteristicile curent–tensiune și capacitate–tensiune în intervalul de temperatură de 30–100°C. Analiza datelor experimentale indică că principala caracteristică specifică a structurii CdS/ZnTe este formarea la interfață a unui strat de tranziție de înaltă rezistență, care afectează separarea purtătorilor de sarcină electrică. Concentrația impurităților purtătorilor ionizați în regiunea de sarcină determinată din caracteristicile capacitate–tensiune, constituie 1 x 1015 cm^-3; acest fapt sugerează că unul dintre materialele în contact, și anume ZnTe are o rezistivitate mai ridicată. Măsurătorile caracteristicilor curent–tensiune în regim de celulă solară arată următorii parametri fotovoltaici: tensiunea de circuit deschis (UOC)= 0.53 V, densitatea curentului de scurt circuit (JSC) = 27–30 µA/cm2 și factorul de umplere (FF) = 0.25.