| 3. | HO, J., University of Saskatchewan, Canada, BECKER, J., University of Saskatchewan, Canada, LEEDAHL , B., University of Saskatchewan, Canada, BOUKHVALOV, D., Nanjing Forestry University, China, ZHIDKOV, I., Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина, Rusia, KUKHARENKO, A., Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина, Rusia, KURMAEV, E., Ural Branch of the Russian Academy of Sciences, Rusia, CHOLAKH, S., Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина, Rusia, GAVRILOV, N., Ural Branch of the Russian Academy of Sciences, Rusia, BRYNZARI, V., dr., MOEWES, A., University of Saskatchewan, Canada Electronic structure and structural defects in 3d-metal doped In2O3. Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2019, nr. 15(30), 14098-14091. ISSN 0957-4522 ISSNe 1573-482X. |
