Heterojoncţiunea(HJ)/CdS/CdxMn1-xTe a fost obtinută prin depunerea consecutivă a straturilor subţiri CdS şi CdxMn1-xTe (x=0,1) prin metoda volumului cvaşiînchis. În calitate de suporturi s-au folosit plăci de sticlă (2*2cm2 ) acoperită cu un strat de SnO2 transparent şi conductibil. Grosimea stratului de CdS varia între 0,8-2,0 µm, iar a celui de CdxMn1-xTe între 8-10 µm. Pentru mărirea fotosensibilităţii HJ/CdS/CdxMn1-xTe au fost tratate termic în prezenţa CdCl2 timp de 30 min la temperatura 400 . Dupa tratarea termică şi corodarea stratului de CdxMn1-xTe s-au depus contacte de Ni prin evaporare termică în vid. Cercetarile metalografice (Fig 1) au arătat că graniţa de despărţire între straturile subţiri de CdS şi CdxMn1-xTe şi SnO2 este o linie dreaptă ce indică interacţiunea slabă a materialelor compozite.Cercetarea caracteristicilor curent-tensiune a arătat că ele sunt brute nesimetrice (Fig.2). Din analiza dependenţei ln Idir=f(U) s-a determinat că la polarizări directe curentul depinde exponenţial de tensiunea aplicată şi poate fi descrisă de relaţia I=I0(exp(eU/AkT)-1), unde I0 – curentul de saturaţie 8/10-7A; A – factor de idealitate 3,3 ce indică că în mecanismul de transport al curentului predomină procesele de tunelare-recombinare. La polarizare inversă, curentul depinde de tensiune după o funcţie de I=Um. Factorul de putere are valoare 1,04-1,1 ce este caracteristic pentru curenţi de scurgere. Caracteristica de sarcină a HJ/CdS/CdxMn1-xTe la diferite iluminări este reprezentată în Fig.3. Aceste caracteristici demonstrează că structurile cercetate transformă energia luminoasă în energie electrică.În Tabel sunt prezentaţi parametrii fotoelectrici la câteva HJ/CdS/CdxMn1-xTe măsurate la 300K şi iluminare de 100 mW/cm2 . Din Tabel se vede că structurile cercetate au randamentul de 10,81- 11,76%.Distribuţia spectrală a fotosensibilităţii HJ/CdS/CdxMn1-xTe (Fig.4) cuprinde regiunea lungimilor de undă 520-870 nm şi este determinată de generarea perechilor gol-electron în ambele materiale-componente. Concluzii: Utilizarea în calitate de componentă activă a heterojoncţiunii a stratului subţire de CdxMn1-xTe şi că ,,fereastra” optică a stratului subţire de CdS dă posibilitate de a obţine structuri fotosensibile în regiunea 520-870 nm cu eficacitatea transformării energiei luminoase în energie electrică 12%.