S-a demonstrat că prin nanostructurarea monoseleniurii de galiu are loc restructu-rarea reţelei cristaline hexagonale şi totodată formarea noilor politipi. Transformarea politipică ε/β-GaSe (c=15,9 Å) → δ-GaSe (c=31,9 Å), conduce la micşorarea intensităţii liniilor de difracţie de raze X de la sistemul de plane (004) şi (107) localizate respectiv la 2θ=11,0610 şi 33,8000. În re-zultatul tranziţiei de fază β – δ are loc dublarea parametrului c şi respectiv, amplificarea reflexelor 2θ=48,6600; 53,9010; 71,0990 şi 90,7400 corespunzător valorilor mari ale indicilor Miller (1014); (118); (2014) şi (2114).

It was demonstrated that by nanostructuring of gallium monoselenide, occurs restructuring of hexagonal crystal lattice and also new polytypes formation. Polytype transformation ε /β-GaSe (c=15,9 Å) → δ-GaSe (c=31,9 Å), leads to lower intensity of the diffraction lines of the plane system (004) and (107) respectively located at 2θ = 11.0610 and 33.8000. As a result of the phase transition β - δ occurs and the duplication of parameter c and respectively reflexes amplifica-tion 2θ=48,6600; 53,9010; 71,0990 şi 90,7400 corresponding to high Miller indices values (1014); (118); (2014) and (2114).