Este cunoscut că straturile subţiri ale oxizilor SiO2 sunt folosite cu succes ca strat  antireflectant  pentru celulele solare  confecţionate pe baza siliciului monocristalin  şi policristalin [1-3]. Straturile de oxizi cu banda energetică mare, concomitent cu proprietăţile sale  anticorozionale pot să contribuie şi la extinderea  caracteristicii spectrale a fotosensibilităţii  provocată de micşorrea  recombinării de suprafaţă în  materialele cu banda energetică mai mică. Straturile SnO2 pot fi folosite la celulele solare în calitate de strat antireflectant, deoarece  ele sunt transparente în regiunea  spectrului vizibil şi au valoarea coeficientului de refracţie optimal (n=2) ce măreşte eficienţa conversiei energiei solare în energie electrică. La depunerea straturilor SnO2 prin metoda pirolizei, de obicei, se foloseşte tetraclorura de staniu (SnCl4.5H2O) dizolvată în alcool etilic de o anumită molaritate. În calitate de dopanţi pentru schimbarea conductibilităţii sunt folosite reactivele: SbCl3 [4], NH4F, CF3COOH şi HF [5, 6]. Alegerea dopantului depinde de cerinţele care sunt dictate de proprietăţile electrofizice ale acestor straturi. Pentru celule fotovoltaice, unde statul SnO2 este folosit şi ca contact Ohmic (celula fotovoltaică CdS-CdTe), aceste straturi e de dorit să fie cu rezistenţa mică. Astfel de straturi pot fi depuse prin metoda pirolizei fiind dopate cu SbCl3 şi luând în consideraţie că introducerea în straturile depuse ale unor cantităţi mari de Sb conduce la creşterea absorbţiei  şi micşorarea transparenţei [7].  În prezenta lucrare, sunt descrise condiţiile tehnologice  de creştere şi dopare cu Sb a straturilor SnO2 şi  studierea proprietăţilor electrice şi optice cu perspectiva de a le folosi în tehnologia  confecţionării celulelor solare. Metoda pulverizării pirolitice de depunere a straturilor  SnO2 şi obţinerea structurilor fotovoltaice este simplă, economă, nu necesită instalaţii costisitoare şi poate fi folosită cu succes în tehnologia de producere a celulelor solare. La obţinerea straturilor SnO2 dopate cu Sb, a fost folosită instalaţia prezentată în [8]. Instalaţia permite de a depune straturi SnO2 dopate cu Sb  pe suprafeţe până la 80 cm2. Temperatura cuptorului a fost menţinută  la 450°C cu precizia de ±0,5°С. Straturile au fost crescute în atmosfera de oxigen  la presiunea fluxului prin pulverizator de 40 kPa. În calitate de substraturi a fost folosită sticla care a fost degresată în toluen, alcool izopropilic, corodată în metanol+5%Br şi uscate în vapori de alcool izopropilic. Pentru depunerea straturilor SnO2, a fost folosit SnCl4;5H2O dizolvat în alcool etilic cu molaritatea de 0,5M. Ca dopant a fost folosită  triclorură de stibiu (SbCl3) dizolvat în alcool etilic cu molaritatea de 0,1M. Straturile au fost depuse pentru un volum constant al soluţiei SnCl3:5H2O+alcool etilic de 10 ml variind cantitatea dopantului SbCl3+alcool etilic în intervalul 0...3 ml. Parametrii electrofizici ai straturilor SnO2:Sb  au fost testaţi  la o instalaţie universală de studiere a parametrilor electrofizici în câmp magnetic  de 0,5T şi curent continuu stabilizat. Transmitanţa straturilor SnO2:Sb a fost testată cu spectrometrul CARY V/VIS în intervalul 250-1200 nm. Pentru straturile SnO2 dopate cu Sb depuse la 450°C, a fost cercetată  transmitanţa în dependenţă  de  volumul de SbCl3+alcool etilic în soluţia  SnCl4+alcool etilic în intervalul de lungimi de undă 250-1000 nm. Transmitanţa straturilor depuse pentru un volum constant al soluţiei SnCl4+alcool etilic de 10 ml cu mărirea volumului dopantului SbCl3+alcool etilic în soluţia pulverizată de la 0 pană la 3 ml se micşorează de la 85% până la 70% (Fig.1).În Fig.2 este prezentată dependenţa concentraţiei purtătorilor de sarcină în straturile depuse în funcţie de volumul dopantului în soluţia pulverizată. Concentraţia purtătorilor de sarcină cu mărirea conţinutului dopantului  se măreşte şi  atinge valori de  5.1020 cm-3 pentru volumul de 1ml al soluţiei SbCl3+alcool etilic în soluţia pulverizată şi rămâne constantă în continuare cu mărirea volumului dopantului.Rezistenţa specifică a straturilor SnO2 dopate cu Sb se micşorează cu mărirea cantităţii dopantului în soluţia pulverizată atingând valorile de (3...50)·10-3 Ohm·cm şi ajunge la saturaţie pentru valori mai mari de 1 ml a soluţiei SbCl3+alcool etilic în soluţia pulverizată (Fig.3).Doparea cu Sb a straturilor SnO2 micşorează esenţial rezistenţa ce facilitează utilizarea lor la confecţionarea celulelor solare.