Conţinutul numărului revistei |
Articolul precedent |
Articolul urmator |
860 7 |
Ultima descărcare din IBN: 2023-01-19 11:07 |
Căutarea după subiecte similare conform CZU |
621.315.592 (96) |
Electrotehnică (1155) |
SM ISO690:2012 ГАЙДАР, Г.П., ГАЙВОРОНСКАЯ, Е.. Эффект Холла в германии, легированном разными примесями. In: Электронная обработка материалов, 2017, nr. 2(53), pp. 70-74. ISSN 0013-5739. |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Электронная обработка материалов | ||||||
Numărul 2(53) / 2017 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718 | ||||||
|
||||||
CZU: 621.315.592 | ||||||
Pag. 70-74 | ||||||
|
||||||
Descarcă PDF | ||||||
Rezumat | ||||||
Исследовано влияние различных примесей на кинетику электронных процессов в монокристаллах n-Ge(Sb). Установлено существенное снижение подвижности носителей заряда в области преимущественно примесного рассеяния (при 77 К) в кристаллах n-Ge(Sb Si), а также в кристаллах германия с примесью редкоземельных элементов, и дано объяснение полученному эффекту. |
||||||
Cuvinte-cheie германий, примеси, эффект Холла, коэффициент Холла, подвижность носителей заряда |
||||||
|
Dublin Core Export
<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?> <oai_dc:dc xmlns:dc='http://purl.org/dc/elements/1.1/' xmlns:oai_dc='http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/' xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xsi:schemaLocation='http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/ http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc.xsd'> <dc:creator>Gaidar, G.P.</dc:creator> <dc:creator>Gaivoronskaia, E.I.</dc:creator> <dc:date>2017-04-24</dc:date> <dc:description xml:lang='ru'>Исследовано влияние различных примесей на кинетику электронных процессов в монокристаллах n-Ge(Sb). Установлено существенное снижение подвижности носителей заряда в области преимущественно примесного рассеяния (при 77 К) в кристаллах n-Ge(Sb Si), а также в кристаллах германия с примесью редкоземельных элементов, и дано объяснение полученному эффекту.</dc:description> <dc:description xml:lang='en'>The effect of various impurities on the kinetics of electronic processes in n-Ge(Sb) single crystals was investigated. In the crystals of n-Ge(Sb Si) and of germanium doped with the rare earth elements, the substantial decrease of the charge carrier mobility in the region of predominantly impurity scattering (at 77 K) was established, and the explanation of this effect was given. </dc:description> <dc:source>Электронная обработка материалов 53 (2) 70-74</dc:source> <dc:subject>германий</dc:subject> <dc:subject>примеси</dc:subject> <dc:subject>эффект Холла</dc:subject> <dc:subject>коэффициент Холла</dc:subject> <dc:subject>подвижность носителей заряда</dc:subject> <dc:title>Эффект Холла в германии, легированном разными примесями</dc:title> <dc:type>info:eu-repo/semantics/article</dc:type> </oai_dc:dc>