Плотность поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-стекло
Închide
Conţinutul numărului revistei
Articolul precedent
Articolul urmator
581 0
SM ISO690:2012
НАСИРОВ, А.. Плотность поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-стекло. In: Электронная обработка материалов, 2008, nr. 4(44), pp. 102-104. ISSN 0013-5739.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Электронная обработка материалов
Numărul 4(44) / 2008 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718

Плотность поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-стекло

Pag. 102-104

Насиров А.
 
Национальный университет Узбекистана имени Мирзо Улугбека
 
 
Disponibil în IBN: 14 aprilie 2017


Rezumat

The method of determination of surface state density at semiconductor-glass interface of MISstructure is offered. It is shown, that the method of differentiation of C-V-dependence is more exact and unequivocal, and also less labour-intensive in comparison with known methods.