Conţinutul numărului revistei |
Articolul precedent |
Articolul urmator |
780 2 |
Ultima descărcare din IBN: 2019-06-13 08:14 |
Căutarea după subiecte similare conform CZU |
541.64:539.26:537.529 (5) |
Chimie. Cristalografie. Mineralogie (2025) |
Proprietăţile şi structura sistemelor moleculare (224) |
Fenomene electronice şi ionice (145) |
SM ISO690:2012 КУЛИЕВ, М., САМЕДОВ, О., ИСМАЙИЛОВА, Р.. Температурно-частотная дисперсия диэлектрических характеристик композитов на основе полиэтилена с включениями TlInS2. In: Электронная обработка материалов, 2013, nr. 2(49), pp. 1-7. ISSN 0013-5739. |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Электронная обработка материалов | ||||||
Numărul 2(49) / 2013 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718 | ||||||
|
||||||
CZU: 541.64:539.26:537.529 | ||||||
Pag. 1-7 | ||||||
|
||||||
Descarcă PDF | ||||||
Rezumat | ||||||
Представлены результаты исследования дисперсионных зависимостей диэлектрических характеристик композитных структур на основе полиэтилена высокой плотности с включениями сегнетоэлектрического полупроводника TlInS2. Они получены из гомогенной смеси порошков компонентов методом горячего прессования в широком диапазоне концентрации наполнителя, температур и частот измерительного электрического поля. Показано, что температурночастотная дисперсия диэлектрических характеристик исследуемых композитных пленок испы- тывает существенные изменения в области частот f = 103–5×104 Гц и температур Т = 60–1150С. Определено, что гистерезисные явления, в основе которых лежит эффект «асимметрии» температурной эволюции электрически активных дефектов, при нагревании и охлаждении в этих гетерогенных макросистемах возникают при температурах Т1150С. |
||||||
|
DataCite XML Export
<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?> <resource xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xmlns='http://datacite.org/schema/kernel-3' xsi:schemaLocation='http://datacite.org/schema/kernel-3 http://schema.datacite.org/meta/kernel-3/metadata.xsd'> <creators> <creator> <creatorName>Kuliev, M.M.</creatorName> <affiliation>Institute of Radiation Problems, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Azerbaijan</affiliation> </creator> <creator> <creatorName>Samedov, O.A.</creatorName> <affiliation>Institute of Radiation Problems, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Azerbaijan</affiliation> </creator> <creator> <creatorName>Ismaiilova, R.S.</creatorName> <affiliation>Institute of Radiation Problems, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Azerbaijan</affiliation> </creator> </creators> <titles> <title xml:lang='ru'>Температурно-частотная дисперсия диэлектрических характеристик композитов на основе полиэтилена с включениями TlInS2</title> </titles> <publisher>Instrumentul Bibliometric National</publisher> <publicationYear>2013</publicationYear> <relatedIdentifier relatedIdentifierType='ISSN' relationType='IsPartOf'>0013-5739</relatedIdentifier> <subjects> <subject schemeURI='http://udcdata.info/' subjectScheme='UDC'>541.64:539.26:537.529</subject> </subjects> <dates> <date dateType='Issued'>2013-04-29</date> </dates> <resourceType resourceTypeGeneral='Text'>Journal article</resourceType> <descriptions> <description xml:lang='ru' descriptionType='Abstract'>Представлены результаты исследования дисперсионных зависимостей диэлектрических характеристик композитных структур на основе полиэтилена высокой плотности с включениями сегнетоэлектрического полупроводника TlInS2. Они получены из гомогенной смеси порошков компонентов методом горячего прессования в широком диапазоне концентрации наполнителя, температур и частот измерительного электрического поля. Показано, что температурночастотная дисперсия диэлектрических характеристик исследуемых композитных пленок испы- тывает существенные изменения в области частот f = 103–5×104 Гц и температур Т = 60–1150С. Определено, что гистерезисные явления, в основе которых лежит эффект «асимметрии» температурной эволюции электрически активных дефектов, при нагревании и охлаждении в этих гетерогенных макросистемах возникают при температурах Т1150С. </description> <description xml:lang='en' descriptionType='Abstract'>The study presents the results of dispersion dependences of dielectric characteristics of composite structures based on polyethylene of high density with inclusions of ferroelectric semiconductor TlInS2, which have been manufactured from a homogeneous mixture of powder components by hotpressing in a wide range of filler concentration, temperatures and frequencies of the measuring electric field. It is shown that, the temperature-frequency dispersion of dielectric characteristics of the composite films under study undergoes substantial changes in the ranges of frequencies of f = 103–5·104 and temperatures of T = 60–1150C. It is determined that, the hysteresis phenomena appear at temperatures of T < 1150C, whose main mechanism is the effect of “asymmetry” of temperature evolution of electrically active defects upon heating and cooling in these heterogeneous macrosystems. </description> </descriptions> <formats> <format>application/pdf</format> </formats> </resource>