S-a elaborat tehnologia de dopare a monocristalelor de ZnIn2S4 dopat cu Ni. A fost stabilită influenţa impurităţii de Ni asupra marginii de absorbţie, spectrelor fotoconductibilităţii şi de excitare a fotoluminiscenţei la temperatura de 300 K. Au fost identificate nivelurile energetice 2.50, 2.64 şi 2.81 eV. Este prezentată dinamica caracteristicilor în funcţie de concentraţia dopantului şi interpretarea lor.

The method of doping of the monocrystals ZnIn2S4:Ni has been elaborated. The influence of this doping substance on the margin of absorption was established, spectra of photoconductivity and the existence of luminescence at the temperature of 300 K. The energetical levels of energies 2.50; 2.64; 2.81 eV were identified. The dynamics of the characteristics depending on the concentration of doping substance and their interpretation is presented.