Температурные изменения петли гистерезиса аморфного магнитного микропровода в стеклянной оболочке
Închide
Conţinutul numărului revistei
Articolul precedent
Articolul urmator
957 0
SM ISO690:2012
БАРАНОВ, Сергей. Температурные изменения петли гистерезиса аморфного магнитного микропровода в стеклянной оболочке . In: Электронная обработка материалов, 2012, nr. 4(48), pp. 112-113. ISSN 0013-5739.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Электронная обработка материалов
Numărul 4(48) / 2012 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718

Температурные изменения петли гистерезиса аморфного магнитного микропровода в стеклянной оболочке

Pag. 112-113

Баранов Сергей123
 
1 Институт прикладной физики АНМ,
2 Приднестровский Государственный Университет им. Т.Г.Шевченко,
3 Université de Montréal
 
 
Disponibil în IBN: 20 ianuarie 2014


Rezumat

Исследовались петли гистерезиса микропровода Fe72.Si13B15 в стеклянной оболочке, характеризующиеся прямоугольной петлей гистерезиса. Покрытие гелем внешней поверхности микропровода трансформируют его в безгистерезисную петлю.

The hysteresis loops in glass-coated Fe72.Si13B15 microwires have been considered. These wires are characterized by a rectangular hysteresis loop. Gel covering of the external surface of the microwire is shown to transform the wire into a hysteresis-free loop.