Analysis of ZnO-nanorods grown on p-Si (100) via catalystfree hydrothermal deposition

Lupan Oleg

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LUPAN, Oleg. Analysis of ZnO-nanorods grown on p-Si (100) via catalystfree hydrothermal deposition . In: Meridian Ingineresc, 2011, nr. 2, pp. 31-36. ISSN 1683-853X.

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Meridian Ingineresc

Numărul 2 / 2011 / ISSN 1683-853X

Analysis of ZnO-nanorods grown on p-Si (100) via catalystfree hydrothermal deposition

Pag. 31-36

Lupan Oleg

Technical University of Moldova

Disponibil în IBN: 11 octombrie 2013

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Rezumat

Aceasta lucrare comunica datele experimentale despre procedura de curăţare a substraturilor de Si în scop de a depune ZnO la temperaturi relative joase (95-98°C). De asemenea, lucrarea comunică despre sinteza hidrotermală rapidă elaborată pentru creşterea reţelelor de baghete cristaline de ZnO pe p-Si în decursul a 15 min. Caracteristicile materialului au fost studiate şi au fost găsite o calitate înaltă a materialului demonstrată de cercetările Micro-Raman şi a fotoluminescenţei. Aceste rezultate indică asupra posibilităţii de folosire a heterostructurilor în dispozitive optoelectronice noi.

This work reports a detailed cleaning procedure for Si to get deposited ZnO at low temperature (95-98°C). Also, it is reported on rapid hydrothermal synthesis technique used to growth ZnO nanorod arrays on p-Si in 15 min. Their characteristics has been studied and found a high quality material demonstrated by micro-Raman and photoluminescence measurements. Also, fabricated heterostructures by this method shows feasibility as a new optoelectronic device structure.

Ce travail présente une procédure détaillée pour le nettoyage du silicium en prévision d’un dépôt de ZnO à basse température (95-98°C). En outre, une technique de synthèse hydrothermale rapide (15 min) de croissance d’un réseau de nanofils de ZnO sur le p-Si est rapportée. Les caractéristiques de ces nanofils ont été étudiées et ont montré qu’il s’agissait d’un matériau de haute qualité comme le démontre les analyses micro-Raman et les mesures de photoluminescence. De plus, les hétérostructures fabriquées par cette méthode peuvent être utilisées dans de nouveaux dispositifs optoélectroniques.

Cerif XML Export

<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?>
<CERIF xmlns='urn:xmlns:org:eurocris:cerif-1.5-1' xsi:schemaLocation='urn:xmlns:org:eurocris:cerif-1.5-1 http://www.eurocris.org/Uploads/Web%20pages/CERIF-1.5/CERIF_1.5_1.xsd' xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' release='1.5' date='2012-10-07' sourceDatabase='Output Profile'>
<cfResPubl>
<cfResPublId>ibn-ResPubl-25504</cfResPublId>
<cfResPublDate>2011-04-01</cfResPublDate>
<cfIssue>2</cfIssue>
<cfStartPage>31</cfStartPage>
<cfISSN>1683-853X</cfISSN>
<cfURI>https://ibn.idsi.md/ro/vizualizare_articol/25504</cfURI>
<cfTitle cfLangCode='EN' cfTrans='o'>Analysis of ZnO-nanorods grown on p-Si (100) via catalystfree hydrothermal deposition
</cfTitle>
<cfAbstr cfLangCode='RO' cfTrans='o'>Aceasta lucrare comunica datele experimentale despre procedura de curăţare a substraturilor de Si în scop de a depune ZnO la
temperaturi relative joase (95-98°C). De asemenea, lucrarea comunică despre sinteza hidrotermală rapidă elaborată pentru creşterea reţelelor de baghete cristaline de ZnO pe p-Si în decursul a 15 min. Caracteristicile materialului au fost studiate şi au fost găsite o calitate înaltă a materialului demonstrată de cercetările Micro-Raman şi a fotoluminescenţei. Aceste rezultate indică asupra posibilităţii de folosire a heterostructurilor în dispozitive optoelectronice noi.</cfAbstr>
<cfAbstr cfLangCode='EN' cfTrans='o'>This work reports a detailed cleaning procedure for Si to get
deposited ZnO at low temperature (95-98°C). Also, it is
reported on rapid hydrothermal synthesis technique used
to growth ZnO nanorod arrays on p-Si in 15 min. Their characteristics has been studied and found a high quality
material demonstrated by micro-Raman and photoluminescence measurements. Also, fabricated heterostructures by this method shows feasibility as a new optoelectronic device structure.</cfAbstr>
<cfAbstr cfLangCode='FR' cfTrans='o'>Ce travail présente une procédure détaillée pour le nettoyage
du silicium en prévision d’un dépôt de ZnO à basse température (95-98°C). En outre, une technique de synthèse hydrothermale rapide (15 min) de croissance d’un réseau de nanofils de ZnO sur le p-Si est rapportée. Les caractéristiques de ces nanofils ont été étudiées et ont montré qu’il s’agissait d’un matériau de haute qualité comme le démontre les analyses micro-Raman et les mesures de photoluminescence. De plus, les
hétérostructures fabriquées par cette méthode peuvent être utilisées dans de nouveaux dispositifs optoélectroniques.</cfAbstr>
<cfResPubl_Class>
<cfClassId>eda2d9e9-34c5-11e1-b86c-0800200c9a66</cfClassId>
<cfClassSchemeId>759af938-34ae-11e1-b86c-0800200c9a66</cfClassSchemeId>
<cfStartDate>2011-04-01T24:00:00</cfStartDate>
</cfResPubl_Class>
<cfResPubl_Class>
<cfClassId>e601872f-4b7e-4d88-929f-7df027b226c9</cfClassId>
<cfClassSchemeId>40e90e2f-446d-460a-98e5-5dce57550c48</cfClassSchemeId>
<cfStartDate>2011-04-01T24:00:00</cfStartDate>
</cfResPubl_Class>
<cfPers_ResPubl>
<cfPersId>ibn-person-863</cfPersId>
<cfClassId>49815870-1cfe-11e1-8bc2-0800200c9a66</cfClassId>
<cfClassSchemeId>b7135ad0-1d00-11e1-8bc2-0800200c9a66</cfClassSchemeId>
<cfStartDate>2011-04-01T24:00:00</cfStartDate>
</cfPers_ResPubl>
</cfResPubl>
<cfPers>
<cfPersId>ibn-Pers-863</cfPersId>
<cfPersName_Pers>
<cfPersNameId>ibn-PersName-863-3</cfPersNameId>
<cfClassId>55f90543-d631-42eb-8d47-d8d9266cbb26</cfClassId>
<cfClassSchemeId>7375609d-cfa6-45ce-a803-75de69abe21f</cfClassSchemeId>
<cfStartDate>2011-04-01T24:00:00</cfStartDate>
<cfFamilyNames>Lupan</cfFamilyNames>
<cfFirstNames>Oleg</cfFirstNames>
</cfPersName_Pers>
</cfPers>
</CERIF>