A fost propusă obținerea oxidului de galiu poros cu o morfologie controlată prin utilizarea tratamentului termic a straturilor poroase de GaP. Au fost stabiliți și optimizați parametrii tratamentului termic pentru a asigura obținerea oxidului de galiu. A fost efectuat sistematic studiul morfologiei și compoziției chimice a probelor până și după tratamentul termic în aer. Procesul a fost optimizat pentru a minimiza apariția fisurilor în stratul de oxid. În rezultat a fost demonstrată posibilitatea obținerii straturilor poroase de oxid de galiu pe un substrat semiconductor de GaP având o conductibilitate electrică bună.