Conţinutul numărului revistei |
Articolul precedent |
Articolul urmator |
304 2 |
Ultima descărcare din IBN: 2023-05-13 17:55 |
SM ISO690:2012 БАХАДИРХАНОВ, М., СОДИКОВ, У., ЗИКРИЛЛАЕВ, Н., НОРКУЛОВ, Н.. Разработка физических основ наноразмерных структур на основе молекулообразования S++Mn-- и Se++Mn-- в решетке Si. In: Электронная обработка материалов, 2007, nr. 5(43), pp. 106-108. ISSN 0013-5739. |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Электронная обработка материалов | ||||||
Numărul 5(43) / 2007 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718 | ||||||
|
||||||
Pag. 106-108 | ||||||
|
||||||
Descarcă PDF | ||||||
Rezumat | ||||||
In the work is adduced one of the possible ways of making of nano size structures on the basis of molecule formation of (S++ Mn--) and (Se++Mn--) between impurity atoms S, Se, Mn in the lattice of silicon. It is stated dependencies of molecules concentration of (S++ Mn--), (Se++Mn--) on concentration of impurity atoms. |
||||||
|
DataCite XML Export
<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?> <resource xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xmlns='http://datacite.org/schema/kernel-3' xsi:schemaLocation='http://datacite.org/schema/kernel-3 http://schema.datacite.org/meta/kernel-3/metadata.xsd'> <creators> <creator> <creatorName>Bahadirhanov, M.C.</creatorName> <affiliation>Ташкентский государственный технический университет имени А.Р.Беруни, Uzbekistan</affiliation> </creator> <creator> <creatorName>Sodikov, U.H.</creatorName> <affiliation>Ташкентский государственный технический университет имени А.Р.Беруни, Uzbekistan</affiliation> </creator> <creator> <creatorName>Zicrillaev, N.F.</creatorName> <affiliation>Ташкентский государственный технический университет имени А.Р.Беруни, Uzbekistan</affiliation> </creator> <creator> <creatorName>Norkulov, N.</creatorName> <affiliation>Ташкентский государственный технический университет имени А.Р.Беруни, Uzbekistan</affiliation> </creator> </creators> <titles> <title xml:lang='ru'>Разработка физических основ наноразмерных структур на основе молекулообразования S++Mn-- и Se++Mn-- в решетке Si</title> </titles> <publisher>Instrumentul Bibliometric National</publisher> <publicationYear>2007</publicationYear> <relatedIdentifier relatedIdentifierType='ISSN' relationType='IsPartOf'>0013-5739</relatedIdentifier> <dates> <date dateType='Issued'>2007-10-29</date> </dates> <resourceType resourceTypeGeneral='Text'>Journal article</resourceType> <descriptions> <description xml:lang='en' descriptionType='Abstract'><p>In the work is adduced one of the possible ways of making of nano size structures on the basis of molecule formation of (S++ Mn--) and (Se++Mn--) between impurity atoms S, Se, Mn in the lattice of silicon. It is stated dependencies of molecules concentration of (S++ Mn--), (Se++Mn--) on concentration of impurity atoms.</p></description> </descriptions> <formats> <format>application/pdf</format> </formats> </resource>