Цель настоящей работы- исследование композитов на основе полиэтилена высокой плотности (ПЭВП) методом расчета величины модуля комплекса диэлектрической проницаемости (e) в условиях нагрева-охлаждения. Рассмотрены температурные зависимости e самой матрицы ПЭВП марки 20806-024 без стабилизированных в ней дисперсных частиц многокомпонентного сегнетоактивного твердого раствора (САТР) семейства цирконата-титаната-свинца (ПКР-3М), а также температурные зависимости e микрокомпозитов на основе ПЭВП с объемным содержанием ПКР-3М до 50% в процессе «нагрев-охлаждение». Размер сегнеточастиц ПКР-3М составлял 63¸100мкм. Композиты были получены из гомогенной смеси порошков ПЭВП и наполнителя с помощью ручного обогреваемого пресса при температуре 1600С и давления 15 МПа. Режим кристаллизации закалка- охлаждение образца в смеси вода-лед. Образцы для исследования представляли собой пленки толщиной около 160 ± 10 мкм и диаметром 40 мм. Надежный электрический контакт электродов обеспечивали применением накладных электродов диаметром 30 мм из алюминиевой фольги толщиной 7 мкм. С применением широкополосного иммитанса Е7-20 проводили измерение e и tgd до температуры 1500С. Определение значения e проводилось по стандартному соотношению с учетом величины емкости и геометрических размеров исследуемой конденсаторной структуры. Чтобы избежать в расчетах диэлектрической проницаемости после окончания измерений толщину образца измеряли повторно. Исследование показало, что для чистого ПЭВП ход зависимости e = f(Т) характерен для неполярных полимеров: с ростом температуры e незначительно уменьшается, в районе температуры плавления кристаллитов (100-1100С) происходит сравнительно резкое уменьшение e, а затем до конца температурного интервала практически не меняется. При охлаждении значение e также незначительно растет, до температуры 1200С кривая охлаждения проходит выше, а после ниже кривого нагрева. Такая же картина наблюдается для композита ПЭВП + 20%об. ПКР-3М ( в этом случае переход происходит при более низких температурах). С увеличением объемного содержания пьезокерамики выше 20%об. характер e = f(Т) меняется, обнаруживается следующие изменения: 1) по мере нагрева композитов степень уменьшения e увеличивается, область сравнительно резкого уменьшения e, связанная с плавлением кристаллитов матрицы исчезает, на кривой нагрева при температуре 110-1150С диэлектрическая проницаемость проходит через минимум; 2) в ходе охлаждения после достижения максимума температуры при нагреве e увеличивается, при температуры кристаллизации скачкообразно растет и сразу же скорость роста e замедляется, e проходит через максимум и медленно уменьшается. Следует отметить, что если для композитов ПЭВП +30%об. ПКР-3М кривая охлаждения во всем температурном интервале проходит выше кривой нагрева, то для композитов с концентрацией ПКР-3М 40 и 50%об. в районе 400С кривые нагрева и охлаждения пересекаются и кривая охлаждения проходит ниже кривой нагрева. В результате цикла нагрев-охлаждение величина e материалов принимает новое значение, которое для чистого ПЭВП в течение некоторого времени ( по крайней мере - в течение 10 дней) остается неизменным, а для композитов продолжает расти. Для композитов с большей концентрацией пьезочастиц в матрице наблюдается рост e с большим динамическим диапазоном изменения диэлектрической проницаемости при нагреве и охлаждении.