Al-Daffaie S. 
| Dinamica numărului de publicaţii pe ani |  |  | |
| Dinamica articolelor pe ani |  | ||
| Distribuirea numărului de pagini publicate pe categorii de reviste și ani | | ||
| Distribuirea articolelor pe domenii şi ani | |  | |
| Colaborarea autorului |  |  | |
| Dinamica descărcărilor pe ani | | ||
Scopus Author ID
Teze/Rezumate în culegeri - 2.
- 4. Articole în reviste de peste hotare
- 4.1.Articole în reviste din WoS - 1
- 4.2.Articole în reviste din Scopus - 1
- 5. Publicaţii la manifestări din RM
- 5.2.Teze / rezumate în culegerile manifestărilor din RM (incluse în Registrele manifestărilor științifice aprobate de către ANACEC) - 1
- 5.4.Teze / rezumate în culegerile de la alte manifestări din RM - 1
- 6. Publicații la manifestări științifice de peste hotare
- 6.2.Publicații la manifestări științifice indexate în Scopus - 2
Effect of Si-doping of the GaN barrier on the internal quantum efficiency of InGaN/GaN light-emitting diodes  |
| Sirkeli Vadim1 , Yilmazoglu Oktay1 , Al-Daffaie S.1 , Oprea I.1 , Ong Duu Sheng2 , Kuppers Franko1 , Hartnagel Hans Ludwig1 |
| 1 Institute of Microwave Engineering and Photonics, Technical University of Darmstadt, 2 Multimedia University |
| Materials Science and Condensed Matter Physics |
| Editia 8. 2016. Chişinău. ISBN 978-9975-9787-1-2. |
| Disponibil online 2 August, 2019. Descarcări-27. Vizualizări-679 |
