Iacovlev Vladimir 
Cuvinte-cheie (51): Heterojunctions (3), Semiconducting gallium arsenide (3), Semiconductor device manufacture (2)
Brevete  | |||
| Dinamica numărului de publicaţii pe ani |  |  | |
| Dinamica articolelor pe ani |  | ||
| Distribuirea numărului de pagini publicate pe categorii de reviste și ani | | ||
| Distribuirea articolelor pe domenii şi ani | |  | |
| Colaborarea autorului |  |  | |
| Dinamica descărcărilor pe ani | | ||
- 3.1.5.Articole în reviste științifice din RM (până în 2009) - 2
- 4. Articole în reviste de peste hotare
- 4.1.Articole în reviste din WoS - 1
- 4.2.Articole în reviste din Scopus - 1
- 5. Publicaţii la manifestări din RM
- 5.3.Publicații la alte manifestări din RM - 2
- 6. Publicații la manifestări științifice de peste hotare
- 6.2.Publicații la manifestări științifice indexate în Scopus - 2
- 6.3.Alte publicații la manifestări științifice de peste hotare - 3
High performance strained InGaAs/AlGaAs buried-heterostructure quantum-well lasers fabricated by in situ etching and regrowth    |
| Chand Naresh1 , Dutta Nilroy K.1 , Chu Sung Nee George1 , Syrbu Alexei2 , Mereutza Alexandru2 , Yakovlev Vladimir2 |
| 1 AT and T Bell Laboratories, Murray Hill, 2 Technical University of Moldova |
| Applied Physics Letters |
| Vol. 62, / 1993 / ISSN 0003-6951 |
| Disponibil online 20 June, 2023. Descarcări-0. Vizualizări-146 |
