IBN
Închide

Knap Wojciech

Publicaţii la conferinţe din RM - 5, Descărcări - 10, Vizualizări - 2694
XLS PDF DOC
ISO 690-2012

2018 - 1

New GaN and silicon junctionless field effect transistor terahertz detectors
Knap Wojciech
Materials Science and Condensed Matter Physics
Ediția 9. 2018. Chișinău, Republica Moldova. Institutul de Fizică Aplicată. 31-31.
Disponibil online 14 January, 2019. Descarcări-4. Vizualizări-576
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

2016 - 1

Plasma field effect transistors arrays for amplitude and polarization imaging in THz range
Knap Wojciech , Moulin Benoit , Sypek M. , Coquillat D. , Cywinski G. , Suszek J. , Triki M. , But D. , Siemion A. , Szkudlarek K. , Archier C. , Diakonova N. , Antonini T. , Teppe Fréd́eric
Materials Science and Condensed Matter Physics
Editia 8. 2016. Chişinău. Institutul de Fizică Aplicată. 45-45.
Disponibil online 18 July, 2019. Descarcări-5. Vizualizări-678
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

2014 - 1

Physics of nanometer plasma field effect transistors for detection of terahertz radiation
Knap Wojciech , But D. , Diakonova N. , Teppe Fréd́eric , Coquillat D.
Materials Science and Condensed Matter Physics
Editia 7. 2014. Chișinău, Republica Moldova. Institutul de Fizică Aplicată. 41-42.
Disponibil online 24 February, 2019. Descarcări-1. Vizualizări-546
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

2012 - 1

III-V versus silicon choice of nanometer field effect transistors for THZ applications
Knap Wojciech , But D. , Coquillat D. , Diakonova N. , Teppe Fréd́eric
Materials Science and Condensed Matter Physics
Editia 6. 2012. Chișinău, Republica Moldova. Institutul de Fizică Aplicată. 29-29.
Disponibil online 5 March, 2020. Descarcări-0. Vizualizări-593
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

2010 - 1

Silicon versus III-V semiconductor material choice for terahertz imaging with nanometerfield effect transistors based detectors
Knap Wojciech , Coquillat D. , Diakonova N. , Teppe Fréd́eric
Materials Science and Condensed Matter Physics
Editia 5. 2010. Chișinău, Republica Moldova. Institutul de Fizică Aplicată. 27-27.
Disponibil online 12 April, 2021. Descarcări-0. Vizualizări-301
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
1 - 5 of 5